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ON推出新款自保护低端MOSFET驱动IC
 

【CTIMES/SmartAuto 林佳穎报导】   2009年12月21日 星期一

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安森美半导体(ON)于日前宣布,推出高度整合保护的NCV840x系列低端自保护MOSFET。此系列组件通过了AEC-Q100标准认证,适合严格的汽车及工业工作环境中的开关应用。

ON推出汽车/工业应用之自保护低端MOSFET驱动IC
ON推出汽车/工业应用之自保护低端MOSFET驱动IC

NCV8401、NCV8402、NCV8402D(双裸片)、NCV8403及NCV8404的设计是为了提供强固及可靠的工作,这些组件皆拥有自保护功能,包括限温及限流、静电放电(ESD)保护,以及用于过压保护(OVP)的整合漏极至栅极钳位。

NCV840x驱动器能用于多种电阻型、电感型及电容型负载的开关,使设计人员能够以更紧凑、更强固及工作寿命更长的另一选择,替代机电式继电器或分立电路。所有这些组件都提供逻辑电平输入。NCV8401、NCV8402D及NCV8403的额定漏极至源极电压(VDSS)为42伏特(V),最大漏极电流(ID)分别为33安培(A)、2 A和15 A。NCV8405的VDSS为40 V,最大额定ID为6 A。所有这些组件的栅极至源极电压(VGS)为±14 V

。这新系列的所有组件均提供低导通阻抗(RDS(ON))值,帮助实现更高能效的系统设计。NCV8401、NCV8402D、NCV8403及NCV8405在10 V的RDS(ON)值分别为23毫欧(mΩ)、165 mΩ、53 mΩ和90 mΩ。此外,这些组件都提供−40 °C至150 °C宽阔的工作温度范围及高静电抑制等级(25°C结温时为4,000 V)。当VGS为5 V及10 V时,关闭温度限制分别设定在175⁰C及165⁰C。

關鍵字: MOSFET驅動IC  ON 
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