英飞凌科技持续扩展其全方位的碳化矽(SiC)产品组合，新增650V产品系列。英飞凌新发表的CoolSiC MOSFET能满足广泛应用对於能源效率、功率密度和耐用度不断提升的需求，包括：伺服器、电信和工业SMPS、太阳能系统、能源储存和化成电池、UPS、马达驱动以及电动车充电等。

CoolSiC MOSFET 650V导通电阻介於27m?至107m?，采用常见的TO-247 3脚和TO-247 4脚封装，有助於进一步降低切换损耗。如同先前推出的所有CoolSiC MOSFET产品，新的650V系列亦采用英飞凌先进的沟槽式半导体技术。

英飞凌电源管理与多元电子事业处高压转换部门资深协理Steffen Metzger表示：「推出这项产品後，英飞凌在600V/650V电源领域完备了矽、碳化矽和氮化??型功率半导体产品组合。这也凸显了我们在业界的独特地位－我们是唯一一家推出涵盖这三种电源技术多样化产品的制造商。此外，最新的CoolSiC系列也展现了我们目标成为工业用SiC MOSFET开关供应商龙头的决心。」

CoolSiC MOSFET 650V导通电阻介於27m?至107m?，采用常见的TO-247 3脚和TO-247 4脚封装，有助於进一步降低切换损耗。如同先前推出的所有CoolSiC MOSFET产品，新的650V系列亦采用英飞凌先进的沟槽式(trench)半导体技术，使 SiC 强大的物理特性能获得最大的发挥，确保装置达到最优异的可靠度、同级最隹的切换损耗和导通损耗。同时，这些装置具备最高的跨导等级 (增益)、4V临界电压(V_th)和短路耐用度。沟槽式技术能使应用达到最低的损耗，和最高的运作可靠度，同时兼顾全方位效能。

相较於市场上其他的矽和碳化矽解决方案，650V CoolSiC MOSFET提供许多极具吸引力的优势，例如：在更高频率下的切换效率以及出色的可靠度。这些装置具有非常低的导通电阻(R_DS(on)) 与温度的相依性，散热特性极其出色。装置采用稳定可靠的本体二极体，拥有非常低的逆复原电荷(Q_rr)，较效能最好的超接面CoolMOS MOSFET降低了约80%。装置在整流方面的耐用度，有助於轻松达到98%的整体系统效率，例如：搭配连续传导模式的图腾柱电路功率因子校正(PFC)。

为了简化CoolSiC MOSFET 650V的应用设计，确保装置实现高效能运作，英飞凌亦推出专用的单通道和双通道电气隔离EiceDRIVER闸极驱动IC。此解决方案结合了CoolSiC开关和专用的闸极驱动IC，有助於降低系统成本和整体拥有成本，且能提高能源效率。CoolSiC MOSFET 也能与英飞凌EiceDRIVER闸极驱动器系列的其他IC无缝配合运作。

CoolSiC MOSFET 650V系列包含八个版本，分别采用两种穿孔式TO-247封装，即日起接受订购。三款专用的闸极驱动IC亦将於2020年3月推出。