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美光HBM4已送样主要客户 12层堆叠36GB记忆体助攻AI运算 (2025.06.12)
美光科技今日宣布，其12层堆叠36GB HBM4记忆体已送样给多家主要客户。其 1β（1-beta）DRAM 制程、经验证的12层的记忆体内建自我测试（MBIST）功能，是专为开发下一代AI平台所设计 |
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HBM4加速AI创新发展 美光12层堆叠HBM4送样多家客户 (2025.06.12)
随着生成式 AI 蓬勃发展，推动资料中心与云端运算能力不断向上突破，高频宽记忆体（HBM）扮演的角色变得前所未有地关键。美光科技12层堆叠、容量36GB的HBM4记忆体已送样给多家客户，标志着AI运算架构进入全新里程 |
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美光1γ制程可有效缓解AI负载记忆体频宽不足的问题 (2025.06.10)
美光科技近日开始出货采用1γ（1-gamma）制程节点的低功耗双倍资料速率（LPDDR5X）记忆体认证样品。1γ制程之所以能实现这些突破，关键在於美光采用了多项先进的半导体制造技术 |
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美光高速率节能60TB SSD已通过客户认证 (2024.11.14)
美光科技宣布其6550 ION NVMe SSD已通过客户验证。美光 6550 ION SSD 是全球最高速率的 60TB 资料中心 SSD，亦为业界首款 E3.S 及 PCIe Gen5 60TB SSD，这项产品延续 6500 ION SSD 获奖的成功经验，提供同级最隹运算、节能、耐久、安全以及机柜容量表现，适用於超大规模资料中心 |
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Crucial扩展DDR5 Pro电竞记忆体产品组合 为游戏玩家提供更快速度 (2024.10.30)
美光科技推出 Crucial DDR5 Pro 超频电竞记忆体，以全新 6,400 MT/s 的速度，为玩家提供更流畅、更快速的游戏体验。此次产品更新是继 2月首次推出的6,000 MT/s 电竞记忆体解决方案後的进一步升级 |
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美光超高速时脉驱动器DDR5记忆体产品组合 可助新一波AI PC发展浪潮 (2024.10.16)
美光科技推出全新类别的时脉驱动器记忆体━Crucial DDR5 时脉无缓冲双列直??式记忆体模组（CUDIMM）和时脉小型双直列记忆体模组（CSODIMM），现已大量出货。这些符合 JEDEC 标准的解决方案运行速度高达 6,400 MT/s，是 DDR4 速度的两倍之多，比传统的非时脉驱动器 DDR5 快 15% |
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美光公布全新品牌识别 以崭新形象迎接创新机遇 (2024.10.10)
美光科技推出全新的品牌识别，它不仅彰显了美光在记忆体和储存行业的领导地位，也标志着我们在持续多年的科技创新之旅中迈向新的里程碑。此次品牌识别设计基於晶圆的圆弧曲线与丰富色彩元素 |
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AI运算方兴未艾 3D DRAM技术成性能瓶颈 (2024.08.21)
HBM非常有未来发展性，特别是在人工智慧和高效能运算领域。随着生成式AI和大语言模型的快速发展，对HBM的需求也在增加。主要的记忆体制造商正在积极扩展采用3D DRAM堆叠技术的HBM产能，以满足市场需求 |
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SEMICON Taiwan 2024下月登场 揭??半导体技术风向球 (2024.08.15)
迎接现今人工智慧（AI）和高效能运算（HPC）需求的强劲增长，对先进封装技术的要求也随之提高。即将於9月4~6日假南港展览馆举行的SEMICON Taiwan 2024国际半导体展，也集结最完整阵容的供应链与先进技术内容 |
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美光发表业界首款 PCIe Gen6 资料中心SSD 提供26GB/s连续读取频宽 (2024.08.08)
美光科技宣布，研发出业界首款推动生态系统的 PCIe Gen6 资料中心 SSD 技术，为美光支援 AI 广泛需求的完整记忆体和储存产品布局再添一员。美光资深??总裁暨运算与网路事业部总经理 Raj Narasimhan 并於 FMS 2024 展览上针对「资料就是 AI 的核心 |
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美光宣布量产第九代NAND快闪记忆体技术 (2024.07.31)
美光科技宣布，采用第九代(G9) TLC NAND技术的SSD现已开始出货。美光G9 NAND传输速率3.6 GB/s，不论是在个人装置、边缘伺服器，或是企业及云端资料中心，这颗NAND新品均可展现效能，满足人工智慧及其他运用大量资料的使用情境 |
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为AI应用奠基 美光推出全球最高速资料中心SSD (2024.07.25)
美光科技今日宣布，推出Micron 9550 NVMe SSD，为全球最高速率资料中心SSD，在AI工作负载效能及节能效率上亦领先业界 。美光9550 SSD整合了美光自有的控制器、NAND、DRAM与韧体 |
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美光最低延迟创新主记忆体MRDIMM正式送样 (2024.07.18)
因应工作负载要求的日益严苛，为了充分发挥运算基础架构的最大价值。美光科技（Micron）宣布其多重存取双列直??式记忆体模组（MRDIMM）开始送样。MRDIMM针对记忆体需求高达每DIMM ??槽128GB以上的应用 |
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美光揭??永续行动进展 迈向未来创新目标 (2024.07.05)
美光科技发布 2024 年永续经营报告，详述美光的永续发展成果，并持续推动可为未来创造全新机会与突破的技术进程。美光总裁暨执行长 Sanjay Mehrotra 表示，美光 2024 年永续经营报告展现透过科技回??全球社群与环境的决心；期待协助引领整个半导体产业和生态系统取得更长足的进步 |
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美光发布2024年永续经营报告 强化发展永续经营和先进技术 (2024.07.04)
美光科技发布 2024 年永续经营报告。美光致力於实践环保并已取得实质进展。2023 年，美光的直接排放（范畴一）温室气体排放量相比 2020 年减少了 11%。预计 2025 年底前实现在美国采用 100% 再生能源供应的承诺 |
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高速运算平台记忆体争霸 (2024.07.02)
各类AI应用的市场需求庞大，各种记忆体的竞争也异常的激烈，不断地开发更新产品，降低成本，企图向上向下扩大应用，只有随时保持容量、速度与可靠度的优势才是王道 |
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美光次世代绘图记忆体正式送样 (2024.06.06)
美光科技宣布，采用美光1β (1-beta) DRAM技术和创新架构的次世代GDDR7绘图记忆体已正式送样。最高位元密度的美光GDDR7以功率优化设计打造最高速度达每秒32 Gb。同时其系统频宽提升至1.5 TB/s以上，频宽相较前一代美光GDDR6高出60%，拥有四个独立通道，提供最隹化工作负载与更快的回应速度、更流畅的游戏体验并显着缩短处理时间 |
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[Computex] 美光正式送样GDDR7绘图记忆体 创新游戏体验与AI应用 (2024.06.05)
美光科技宣布最高位元密度次世代GDDR7绘图记忆体已正式送样。采用美光1β (1-beta) DRAM技术和创新架构，美光GDDR7以功率优化设计打造最高速度达每秒32 Gb。同时其系统频宽提升至1.5 TB/s以上，频宽相较前一代美光GDDR6高出60%，美光GDDR7拥有四个独立通道，提供最隹化工作负载与更快的回应速度、更流畅的游戏体验并显着缩短处理时间 |
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美光32Gb伺服器DRAM通过验证并出货 满足生成式AI应用要求 (2024.05.08)
美光科技宣布其采用高容量单片 32Gb DRAM 晶粒的 128GB DDR5 RDIMM 记忆体正式验证与出货。美光 128GB DDR5 RDIMM 记忆体速度高达 5,600 MT/s，适用於各种先进伺服器平台，该产品采用美光的 1β 技术，相比其他 3DS直通矽晶穿孔（TSV）堆叠的产品，位元密度提升超过 45%，能源效率提升 22%，延迟则降低 16% |
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美光针对用户端和资料中心等市场 推出232层QLC NAND (2024.04.25)
美光科技推出 232 层 QLC NAND，将其整合至部份 Crucial 消费型 SSD 产品中。目前 CrucialR SSD 已正式量产并向企业储存装置客户出货，美光 2500 NVMeTM SSD 则已向 OEM PC 制造商送样 |
