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AI运算方兴未艾 3D DRAM技术成性能瓶颈 (2024.08.21)
HBM非常有未来发展性，特别是在人工智慧和高效能运算领域。随着生成式AI和大语言模型的快速发展，对HBM的需求也在增加。主要的记忆体制造商正在积极扩展采用3D DRAM堆叠技术的HBM产能，以满足市场需求 |
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SEMICON Taiwan 2024下月登场 揭??半导体技术风向球 (2024.08.15)
迎接现今人工智慧（AI）和高效能运算（HPC）需求的强劲增长，对先进封装技术的要求也随之提高。即将於9月4~6日假南港展览馆举行的SEMICON Taiwan 2024国际半导体展，也集结最完整阵容的供应链与先进技术内容 |
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美光发表业界首款 PCIe Gen6 资料中心SSD 提供26GB/s连续读取频宽 (2024.08.08)
美光科技宣布，研发出业界首款推动生态系统的 PCIe Gen6 资料中心 SSD 技术，为美光支援 AI 广泛需求的完整记忆体和储存产品布局再添一员。美光资深??总裁暨运算与网路事业部总经理 Raj Narasimhan 并於 FMS 2024 展览上针对「资料就是 AI 的核心 |
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美光宣布量产第九代NAND快闪记忆体技术 (2024.07.31)
美光科技宣布，采用第九代(G9) TLC NAND技术的SSD现已开始出货。美光G9 NAND传输速率3.6 GB/s，不论是在个人装置、边缘伺服器，或是企业及云端资料中心，这颗NAND新品均可展现效能，满足人工智慧及其他运用大量资料的使用情境 |
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为AI应用奠基 美光推出全球最高速资料中心SSD (2024.07.25)
美光科技今日宣布，推出Micron 9550 NVMe SSD，为全球最高速率资料中心SSD，在AI工作负载效能及节能效率上亦领先业界 。美光9550 SSD整合了美光自有的控制器、NAND、DRAM与韧体 |
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美光最低延迟创新主记忆体MRDIMM正式送样 (2024.07.18)
因应工作负载要求的日益严苛，为了充分发挥运算基础架构的最大价值。美光科技（Micron）宣布其多重存取双列直??式记忆体模组（MRDIMM）开始送样。MRDIMM针对记忆体需求高达每DIMM ??槽128GB以上的应用 |
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美光揭??永续行动进展 迈向未来创新目标 (2024.07.05)
美光科技发布 2024 年永续经营报告，详述美光的永续发展成果，并持续推动可为未来创造全新机会与突破的技术进程。美光总裁暨执行长 Sanjay Mehrotra 表示，美光 2024 年永续经营报告展现透过科技回??全球社群与环境的决心；期待协助引领整个半导体产业和生态系统取得更长足的进步 |
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美光发布2024年永续经营报告 强化发展永续经营和先进技术 (2024.07.04)
美光科技发布 2024 年永续经营报告。美光致力於实践环保并已取得实质进展。2023 年，美光的直接排放（范畴一）温室气体排放量相比 2020 年减少了 11%。预计 2025 年底前实现在美国采用 100% 再生能源供应的承诺 |
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高速运算平台记忆体争霸 (2024.07.02)
各类AI应用的市场需求庞大，各种记忆体的竞争也异常的激烈，不断地开发更新产品，降低成本，企图向上向下扩大应用，只有随时保持容量、速度与可靠度的优势才是王道 |
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美光次世代绘图记忆体正式送样 (2024.06.06)
美光科技宣布，采用美光1β (1-beta) DRAM技术和创新架构的次世代GDDR7绘图记忆体已正式送样。最高位元密度的美光GDDR7以功率优化设计打造最高速度达每秒32 Gb。同时其系统频宽提升至1.5 TB/s以上，频宽相较前一代美光GDDR6高出60%，拥有四个独立通道，提供最隹化工作负载与更快的回应速度、更流畅的游戏体验并显着缩短处理时间 |
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[Computex] 美光正式送样GDDR7绘图记忆体 创新游戏体验与AI应用 (2024.06.05)
美光科技宣布最高位元密度次世代GDDR7绘图记忆体已正式送样。采用美光1β (1-beta) DRAM技术和创新架构，美光GDDR7以功率优化设计打造最高速度达每秒32 Gb。同时其系统频宽提升至1.5 TB/s以上，频宽相较前一代美光GDDR6高出60%，美光GDDR7拥有四个独立通道，提供最隹化工作负载与更快的回应速度、更流畅的游戏体验并显着缩短处理时间 |
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美光32Gb伺服器DRAM通过验证并出货 满足生成式AI应用要求 (2024.05.08)
美光科技宣布其采用高容量单片 32Gb DRAM 晶粒的 128GB DDR5 RDIMM 记忆体正式验证与出货。美光 128GB DDR5 RDIMM 记忆体速度高达 5,600 MT/s，适用於各种先进伺服器平台，该产品采用美光的 1β 技术，相比其他 3DS直通矽晶穿孔（TSV）堆叠的产品，位元密度提升超过 45%，能源效率提升 22%，延迟则降低 16% |
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美光针对用户端和资料中心等市场 推出232层QLC NAND (2024.04.25)
美光科技推出 232 层 QLC NAND，将其整合至部份 Crucial 消费型 SSD 产品中。目前 CrucialR SSD 已正式量产并向企业储存装置客户出货，美光 2500 NVMeTM SSD 则已向 OEM PC 制造商送样 |
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美光正式量产HBM3E 功耗较前代降低约 30% (2024.02.27)
美光科技今宣布，其 8 层堆叠 24GB HBM3E解决方案已正式量产。美光 HBM3E 解决方案将应用於 辉达 H200 Tensor Core GPU，预计於 2024 年第二季出货。
美光执行??总裁暨事业长 Sumit Sadana 表示：「美光在 HBM3E 此一里程碑上取得了三连胜：领先的上市时间、业界最隹的效能、杰出的能源效率 |
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美光推出128GB DDR5 RDIMM记忆体 为生成式AI应用提供更隹解 (2023.11.27)
美光科技，宣布推出128GB DDR5 RDIMM 记忆体，采用 32Gb 单片晶粒，以高达 8,000 MT/s 的同类最隹效能支援当前和未来的资料中心工作负载。此款大容量高速记忆体模组专为满足资料中心和云端环境中各种关键应用的效能及资料处理需求所设计，包含人工智慧（AI）、记忆体资料库（IMDBs）、高效处理多执行绪及多核心运算工作负载等 |
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台湾美光台中四厂正式落成启用 将量产HBM3E及其他产品 (2023.11.06)
今日美光科技宣布台中四厂正式落成启用，这楝具指标性的建筑将进一步推动台湾先进 DRAM 制程技术的开发和量产。美光台中四厂将整合先进探测与封装测试功能，以量产 HBM3E 及其他产品，从而满足人工智慧、资料中心、边缘运算及云端等各类应用日益成长的需求 |
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Micron采用先进1β技术 推出高速DDR5记忆体 (2023.10.19)
美光科技推出 16Gb DDR5 记忆体，奠基於1β 制程节点技术，美光 1β DDR5 DRAM 的内建系统功能速率可达 7,200 MT/s，目前已出货给所有资料中心及 PC 客户。美光 1β DDR5 记忆体采用先进高介电常数 CMOS 制程、四相位时脉及时脉同步，相较於前一代产品，效能可提升 50%，每瓦效能功耗可降低33% |
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SEMICON TAIWAN推动供应链升级 资安防护、智慧制造、净零永续深化韧性 (2023.08.17)
受到全球政经情势快速变动，以及永续、资安等意识高涨等因素影响，过去数十年所累积成形的国际供应链正进入重整阶段，以期深化产业韧性、推升全球产业升级。台湾年度最大半导体产业盛事SEMICON TAIWAN 2023今（16）日也宣布，本届论坛将聚焦多项供应链韧性升级关键领域 |
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美光发布记忆体扩充模组 加速CXL 2.0应用 (2023.08.14)
美光科技推出 CZ120 记忆体扩充模组，并已开始向客户和合作夥伴送样。美光 CZ120 模组提供 128GB 与 256GB 容量，采用 E3.S 2T 外型规格，并支援 PCIe Gen 5X8 介面。此外， CZ120 模组能够提供高达 36GB/s 的记忆体读写频宽，同时在需要增量记忆体容量和频宽时强化标准伺服器系统 |
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美光发布首款8层堆叠24GB HBM3 实现1.2TB/s频宽 (2023.07.30)
美光科技宣布推出业界首款第二代 8 层堆叠（8-High）24GB HBM3，并开始送样。此产品频宽达 1.2TB/s 以上，每脚位传输速率超过 9.2Gb/s，较目前市面上的HBM3解决方案高出 50%。此外，美光第二代HBM3的每瓦效能较前几代产品提升2.5 倍，刷新 AI 数据中心的关键性能、容量及功耗指标 |
