创意电子推出 28nm DDR3-2133/LPDDR2复合式 IP

创意电子在广泛的28nm晶片验证IP 阵容中新增DDR3-2133/LPDDR2 复合PHY 与Controller IP。

全新的复合式 IP 使用台积公司的28nm HPM 制程，提供PHY、控制器与DDR系统完整的解决方案。新的IP 面积比功能类似的40nm IP 更小20%，最适用於需要高频宽DDR3-2133，并且以台积公司的28HPM 先进制程技术为目标的设计。

提供弹性客制化 IC 服务(Flexible ASIC Services)的关键在於能否提供SoC整合。特别是对於开发65nm以下先进技术晶片的设计人员，不但可以取得创意电子卓越的高效能自有与第三方IP 阵容，现在更扩及於全新的28nm DDR3-2133/LPDDR2 复合式IP。
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