NS全新低功率高精度比较器内建V电压叁考电路

美国国家半导体公司（National Semiconductor Corporation）宣布推出一款内建2.048V电压叁考电路的全新低功率高精度比较器，其特点是具有可调节磁滞功能，能为电源供应和电池监控系统、感应器介面以及临界点侦测器提供最准确的讯号侦测功能。

美国国家半导体此款LMP7300晶片的可调节磁滞功能不但可以提高比较器的抗杂讯干扰能力，而且晶片的设计具有高度的灵活性，让系统设计工程师可以准确设定对称或非对称的正、负双向临界值跳脱点，确保晶片不会提供错误读数。此外，这两个临界值跳脱点均各自独立，以免产生相互影响，因此有助於精简系统设计。

这款比较器的偏置电压低至只有300uV，而供电电流低至只有10uA，因此最适用於以电池供电的高精度系统。这款晶片的供电电压范围广阔（2.7V至12V），因此最适用於3.3V、5V及+/-5V的系统。此外，这款晶片又可提供2.048V的叁考电压，误差不超过0.25%，如此准确的叁考电压最适合用来监控输入电压。此款比较器的传输延迟时间不超过5ms，因此可以快速侦测讯号，准确度极高，功耗也极低。
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