NS新款半桥闸极驱动器可提升高电压应用

美国国家半导体（National Semiconductor）近日宣布，推出首款针对高电压电源转换器增强型氮化??（GaN）功率场效应电晶体（FET）而最隹化的100V半桥闸极驱动器。新推出的LM5113是一款高整合high-side和low-side GaN FET驱动器，与使用离散驱动器的设计相比，其可减少75%的元件数量，还能缩小多达85%的印刷电路板（PCB）面积。

图一 : 美国国家半导体推出针对增强型氮化??功率FET的100V半桥闸极驱动器

砖式电源模组和通讯基础设备的设计人员需要以最小的外形尺寸实现更高的功效。与标准金属氧化物半导体场效应电晶体（MOSFET）相比，由於具有较低的导通电阻（Rdson）、闸极电荷（Qg）以及超小的尺寸，增强型GaN FET可以实现更高的效率和功率密度，但是要可靠地驱动这类元件也面临着新的重大挑战。美国国家半导体LM5113驱动器积体电路解决了这些挑战，使电源设计人员能够在各种普及的电源拓朴结构中发挥GaN FET的优势。

该驱动器采用专有技术，可将high-side浮动靴带式电容电压调节到大约5.25V，以驱动增强型GaN功率FET并达到最隹化，而不会超过最大闸极源额定电压。LM5113还具有独立的汇入/输出，可实现灵活的导通强度和关闭强度。0.5欧姆的低阻抗下拉路径为低临限电压增强型GaN功率FET提供了一种快速、 可靠的关闭机制，有助於让高频电源设计的效率达到最大。
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