意法半导体新MDmesh MOSFET内建快速恢复二极体

意法半导体（STMicroelectronics，ST）新款MDmesh Dk5功率MOSFET电晶体於特高压（Very High-Voltag，VHV）晶体管中内建了快速恢复二极体，包括零电压切换（Zero-Voltage Switching，ZVS）LLC谐振转换器。

图一 : 新款MDmesh Dk5功率MOSFET电晶体内建快速恢复二极体，可提升高效转换器的功率密度。

此系列为超接面MOSFET电晶体技术，新产品额定电压范围涵盖950V至1050V，开关性能、导通电阻（RDS(ON)）和矽单位面积流过的额定电流等技术叁数均优於平面结构的普通MOSFET电晶体。在大功率设备用的功率转换器，例如，高汇流排电压的电信伺服器或资料中心伺服器、工业电焊机、等离子发电机、高频率感应式加热器和X射线器内，意法半导体的新产品让设计人员能够提升应用效能，减少并联元件数量，进而提升功率密度。

内建快速恢复体二极体让新产品能够增加零电压切换LLC谐振转换器的表现，满足应用对宽广的输入电压和高效之要求。其他类型的桥式转换器以及电池充电升压DC/DC转换器也将受益於新产品的低损耗和提升动态性能。相较市面上现有之内建快速恢复二极体的特高压MOSFET，意法半导体DK5产品兼具最短的反向恢复时间（reverse-recovery time，trr）、最低的MOSFET栅电荷量（Qg）和导通电阻RDS(ON)，以及超接面技术产品中优异的输出输入电容（Coss, Ciss）。
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