继2012年晶圆代工厂突破28奈米制程後,带动半导体产业链2013年朝向20奈米更高阶的制程、整合式的封装发展,但也让IC设计公司因制程改变而延伸出的寿命问题。
宜特公司观察发现,随着云端整合技术日趋成熟、行动通讯产品渗透率日增,半导体元件在行动式装置的发展仍以轻薄短小为主轴下,半导体元件制程则不断朝更高阶的28、20奈米移动,并随市场需求走向SiP、SOC、POP、3D、3D TSV 等高阶先进封装技术。特别在台湾封测双雄-日月光、矽品不仅已从Prototype实验阶段,逐渐转向量产态势,晶圆大厂亦投入大量资本支出在新应用产品上。
宜特科技工程总处资深??总经理崔革文说明,将多个IC置放至同一封装体时,其整体寿命将会受到不同元件间的热传导相互干扰而下降,也就是10℃理论(温度上升10℃,寿命缩减一半);而高阶制程的IC,则是在相同面积下放入更多电晶体,如此所产生的热,高达以往IC产品的数倍,因此,温度提高对IC寿命的影响将不容小黥。
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