Zetex新MOSFET使超低闸驱动操作倍添优势

类比讯号处理及功率管理方案供应商Zetex，推出三款针对可用驱动电压有限的应用而设计的N通道增强型MOSFET。

图一

这三款新元件分别为20V的ZXMN2B03E6(SOT236封装)、ZXMN2B14FH及ZXMN2B01F(两者均属SOT23封装)。它们可在1.8VGS下提供低损耗开关功能，因此能以两个1.2V电池或一个锂电池来驱动。它们的闸驱动超低，可直接通过逻辑闸来驱动。

Zetex保证三款新MOSFET的通态电阻(RDS(ON) )，在1.8VGS下分别低於75mΩ、100mΩ和200mΩ，在4.5VGS下则低於 40mΩ、55mΩ和100mΩ，在低电压应用中适用，例如高端断线开关的电平位移、升压转换器电路的外部开关，以至低电压微控制器和马达、螺丝管等负载的缓冲等。
...
...

另一名雇主	限られたニュース	文章閱讀限制	出版品優惠
一般使用者	10/ごとに 30 日間	0/ごとに 30 日間	付费下载
VIP会员	无限制	25/ごとに 30 日間	付费下载