奇梦达与南亚科技获得75奈米DRAM技术之验证

奇梦达公司和南亚科技公司宣布已成功获得75奈米DRAM沟槽式（Trench）技术之验证，最小之制程尺寸为70奈米，第一个75奈米之产品将为512Mb DDR2记忆体晶片。此项新的技术平台和产品是双方共同在德国德勒斯登（Dresden）和慕尼黑（Munich）的奇梦达开发中心所开发的。目前已经在奇梦达的德勒斯登12寸厂生产线开始此项新一代DRAM技术之试产。

负责奇梦达的市场和运作，也是管理委员会的委员之一的赛佛（Thomas Seifert）表示：「在取得75奈米DRAM沟槽式技术能力并推出第一项相关产品後，在技术布局上，我们已达到一个重要的里程碑。此项75奈米技术平台能够满足即将出现的各种高速介面所需之效能需求，例如在DDR3或绘图产品方面的应用。」

采用75奈米技术的合格产品512Mb DDR2能够满足JEDEC定义的最高DDR2速度所需之效能需求，使用於高阶伺服器和各种运算应用中，并展现出公司在75奈米之技术能力，可应用在未来的高速DRAM产品上。75奈米技术的推出，不仅对下一代之效能需求非常重要，亦可进一步改善奇梦达和南亚之成本架构。和之前的90奈米技术相比较，75奈米之制程架构亦可进一步缩小晶片尺寸，因此，每一片晶圆将会多增加40%之产出。
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