Littelfuse推出首款用於SiC MOSFET栅极保护的非对称瞬态抑制二极体系列

工业技术制造公司Littelfuse推出SMFA非对称系列表面贴装瞬态抑制二极体，为市场上首款非对称瞬态抑制解决方案，专为保护碳化矽（SiC）MOSFET栅极免受过压事件影响而设计。由於与传统的矽MOSFET和IGBT相比，SiC MOSFET的开关速度更快、效率更高，带动对稳健栅极保护的需求逐渐提升。SMFA非对称系列提供一种创新的单元件解决方案，在简化设计的同时显着提高了电路的可靠性。

图一 : SMFA非对称系列表面贴装瞬态抑制二极体，资料中心、电动汽车基础设施和工业设备中高效电源解决方案。

SMFA非对称系列是目前市场上唯一一款专为SiC MOSFET的独特栅极保护要求而设计的瞬态抑制二极体。与需要多个齐纳二极体或瞬态抑制二极体的传统解决方案不同，SMFA系列使用单个元件有效防止栅极驱动电路中的振铃和过冲现象，可节省宝贵的PCB空间并降低电路设计的复杂性。

SMFA非对称系列表面贴装瞬态抑制二极体具有的主要功能，具有非对称设计：SMFA系列专为SiC MOSFET的特定正负闸极电压额定值量身定制，确保精确可靠的保护；单一元件解决方案：取代多个齐纳二极体和瞬态抑制二极体，减少元件数量，简化电路布局；空间效率：通过将多种保护功能组合到一个元件中，SMFA系列最大限度地减少PCB空间的使用，实现更紧凑和有效的设计；相容性：SMFA非对称系列相容所有可用的Littelfuse和其他先进的SiC MOSFET，使其成为各种应用的通用解决方案。
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