罗姆量产沟槽式SiC 导通电阻降低再下一城

在全球功率半导体市场，SiC（碳化矽）元件的发展，一直是主要业者所十分在意的重点，理由在於它与传统的MOSFET或是IGBT元件相较，SiC可以同时兼顾高开关频率或高操作电压，反观MOSFET与IGBT只能各自顾及开关频率与操作电压，显然地SiC元件相对地较有技术优势。

图一 : 罗姆半导体应用设计支援部课长苏建荣

SiC顾名思义，就是矽与碳采1比1结合而成的化合物半导体，对於热、化学与机械现象，都能有相当不错的表现，举例来说，它几??不跟酸硷产生任何化学反应，在摩氏硬度上也几??可以跟钻石抗衡。所以归纳来看，SiC元件它具备低导通电阻、耐压能力达600V以上、低开关损耗，以及工作温度可达150℃以上。根据Yole的调查显示，到了2020年，SiC市场将会成长至362百万美元的规模。

日系功率半导体大厂罗姆半导体（ROHM）在SiC也有相当程度的进展，在2010年的四月ROHM便已量产了以SiC为主的二极体元件，同年十二月也量产了功率开关元件，到了2014年，在二极体与开关元件，各自推出了第二代的产品。而在近期，ROHM也发表了第三代产品，值得注意的是，第三代产品的设计采取了沟槽式结构设计，相较於过往平面式SiC，其导通电阻可降低50%。
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