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高尖峰电流闸极驱动光耦合器
可驱动1200V/200A或600V/300A的IGBT

【作者: Avago】2008年06月05日 星期四

浏览人次:【18986】

对马达驱动、不断电系统、交换式电源、高强度灯管整流器以及感应加热等电压转换应用,绝缘闸双极晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor;IGBT)的闸极必须以稳定的开关切换驱动电压推动,同时需要相对较高的电流等级,以便能够在导通与关断状态间快速切换,这个高电流主要用来进行闸源极以与门汲极电容的快速充放电。


闸极驱动电路必须由控制电路的3.3V或5.0V逻辑输出产生能够让IGBT导通或关断的电流,同时还要将低电压电路与高电压切换瞬间变换与噪声隔离,因此市场上就出现了特别针对控制信号介接设计,并提供符合IGBT闸极电容与功率要求输出的专用型闸极驱动光耦合器产品,在适当设计的应用电路中采用这些产品将可以确保在安全的功率消耗限制条件下动作以达到可靠的运作。闸极驱动光耦合器具备有:


  • ●高电压电气绝缘(强化绝缘等级)提供安全与保护功能,并且符合UL1577规定的一分钟暂时忍受能力以及IEC60747-5-2所指定的连续工作电压要求,包装则必须能够符合实体间隔要求,例如外部爬电距离与电气间隙以及部份标准所要求的内部电气间隙。


  • ●高共模电压(VCM)下超高共模(dv/dt)噪声拒斥能力(CMR),提供噪声隔离。



CMR共模拒斥是将输出维持在正确逻辑状态下可以承受的最高共模电压(VCM)变化速度,CMR失效将会造成输出出现正向或负向脉冲噪声,这个关键规格可以确保在高直流电压快速切换时可靠的驱动信息传递。
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