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采用高效率LDO为次微米CMOS负载供电
 

【作者: Bob Nguyen】2007年07月24日 星期二

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在现今的电子产品当中,至少都安装了一颗以上的数字IC,像是在手机、超音波仪器、服务器以及工业控制系统等产品中,都具有可进行数据处理的数字IC。著名的摩尔定律昭示了μP、DSP、FPGA和ASIC等数字IC的发展趋势:IC上的晶体管数量每两年增加一倍。在过去的几十年内,晶体管的制程范围从1000nm(20世纪80年代末)缩小到600nm、130nm、90nm直到65nm,目前正在向45nm迈进,促使半导体制造商在同样的面积内能整合入更多的晶体管。虽然放入更多的晶体管意味着在相同的空间中将可得到更多的功能或更好的效能,但凡事均为一体两面,有好处也有坏处,在设计时必须有所取舍。


数字IC的供电问题

随着芯片尺寸缩小,在一片芯片上整合更多的晶体管及更高的处理速度,都将带来更大的功耗。为了克服功耗增加所带来的问题,数字IC的核心电压不断降低。处理器的功耗可由(公式一)得到结果:
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