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下一代低VCE sat双极电晶体
 

【作者: S. Habenicht,D. Oelgeschlager,B. Scheffler】2010年10月12日 星期二

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近年来,双极电晶体发展迅速。过去高功率开关应用主要依靠MOSFET;但现在越来越多的应用领域逐渐采用双极电晶体,如消费性电子和通讯领域可携式设备的充电电路和负载开关器。其中主要原因为,透过提高半导体晶片中电流均衡分配能力,可降低饱和电阻,进而发展出电流增益更高且稳定的元件。双极电晶体既有的弱点-电流驱动问题-可得到显著改善,并再次发挥双极电晶体在温度稳定性、ESD强度和反向阻断(blocking)上的优势。


透过推出突破性小讯号(BISS)电晶体产品系列,恩智浦取得市场领导地位。第四代BISS电晶体(BISS 4,请参考图五表1)的新架构更是SMD封装型中功率双极电晶体发展的里程碑,使应用范围扩展至更具吸引力的领域。



《图一 掺磷或掺砷基板可大幅降低压降中半导体引起的压降比例》
《图一 掺磷或掺砷基板可大幅降低压降中半导体引起的压降比例》

两种产品类别-产品的架构与规格
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