由于STT-MRAM（自旋转移距－磁性随机存取记忆体）具有快速、非挥发性、耐用，低功耗和可扩展的优点，是目前正迅速获得关注的新记忆体技术之一。它是替代eFlash的强大候选者，尤其是对汽车、物联网和其他低功耗应用特别有吸引力。然而，为了支援在高产量时所需要的高良率，它需要新的测试方法。

STT-MRAM技术是一种电阻式记忆体，由于装置的磁性状态，使其资讯位元（bit）可以被储存在其中。它是基于磁性穿隧接面（MTJ），一种同时具备非挥发性、高速、可靠、可扩展且低功耗的基本自旋电子元件。 MTJ被整合在CMOS制程的互连层中，它的结构像是三明治一样，有两个铁磁层，分别称为自由层（FL）和参考层（RL），并由作为隧道位障的薄绝缘体隔开。

当FL和RL的磁化方向平行（P）时，此装置具有低电阻状态；反平行（AP）时，该装置具有高电阻。在晶片操作里，STT-MRAM被编程，如基于电晶体的储存技术一样。然而，储存在STT-MRAM中的资讯是以磁性存在，一些新的电气测试需要在STT-MRAM晶片制造过程中施加外部磁场。这些测试目的是提取物理参数，加快测试速度，并评估磁抗干扰性。
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