单晶圆（Single-Wafer）清洗设备由于具备了提高制程环境控制能力、微粒去除率、设备占地面积小、化学药剂与纯水消耗量少，以及更具弹性的制程调整能力等诸多优点，近年来已成为各半导体设备厂商积极开发的设备之一。尤其是单晶圆旋转清洗设备在Metal后的清洗，由于能够更有效解决Pattern在清洗后所造成的腐蚀与破坏，进一步提高产品的良率，许多其他设备如Wet Station或单槽清洗设备尚无法克服此问题。

SEZ执行副总裁Herwig Petschnig表示，SEZ为半导体产业单晶圆湿式清洗设备供货商，目前在全球各地已有超过900套晶圆清洗设备被半导体厂商所采用。SEZ在单晶圆设备开发上之最大优势在于其化学药剂之供给与使用，SEZ在单晶圆清洗设备上拥有化学药剂重复使用之专利，因此在使用上可大量节省化学药剂之用量。

目前SEZ已与热处理制程及原子层沉积（ALD）系统供货商AVIZA合作，解决新一代IC制程中ALD薄膜的清洗问题，并将焦点放在晶圆的背面与晶边上。由于退火环境状况会直接影响薄膜背面与晶边清洗流程的复杂度，随着晶格化的程度提高，退火薄膜也需要各种特殊的配方与化学药剂，才能彻底清除杂质，同时需维持薄膜属性的完整度并减少交叉污染的现象，才能提高良率。由于先进薄膜本身含有复杂的成份，例如45奈米高介电系数闸极材料等，对薄膜清洗工作将造成更大困难。其主要是在选择性清洗污染杂质，在清洗晶圆背面与边缘的同时，须在晶圆的前面进行覆盖，避免产生交叉污染与产生杂质，这些工作都会对组件效能、薄膜分层、黄光制程问题以及组件良率产生影响。

Herwig Petschnig指出，SEZ的单晶圆处理技术更有利于这些制程，能使已图案化的晶圆以正面朝下的方式置于白努利托盘上进行处理。结合托盘、化学药剂分配系统以及反应室，能在预先设定的距离下，在晶圆的前面形成高度控制的覆盖面。

此外，SEZ也与内存组件厂商达成合作研发计划（JDP）的协议，以针对量产型前段制程（FEOL）清洗技术开发更适合的解决方案。此协议将藉由单晶圆湿式处理设备缩短65奈米以下制程的周期时间以提高良率，并降低成本。合作的重点在于开发能与量产环境兼容的高效能、不损坏结构的FEOL清洗方案。此合作研发计划也将针对精密的FEOL架构开发解决方案，解决过去在批次洗净技术上难以克服的问题。

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