高电压功率 MOSFET 一般分为两大类： 超接面（SJ : Super Juction）MOSFET 和平面型 MOSFET。由于其电荷平衡结构和更小的输入栅极电荷（Qg），SJ MOSFET具有比平面型 MOSFET 更低的导通电阻（RDS(on)）和更快的开关性能。 产品的这两个参数（Qg*RDS(on)）被作为组件的质量因子（FOM）。 另外，SJ MOSFET 的体二极管的反向恢复性能优于平面型 MOSFET。

然而，SJ MOSFET需要一个更加复杂和昂贵的磊晶制程，并且由于多磊晶层结构使得深寿命控制较困难，改善其体二极管性能受限。另一方面，平面型 MOSFET 可以只由一个单一的磊晶层制作而成，所以较容易实现深寿命控制。 因此，能够大幅度提高平面型 MOSFET二极管的反向恢复性能，从而防止 MOSFET 失效。

最近，快捷半导体开发了UniFETTM II MOSFET 技术，透过优化活跃Cell结构提高了磊晶层的崩溃电压（厚度及电阻率）。 因此，在同一额定崩溃电压下，新 MOSFET 技术的FOM 优于传统 MOSFET 技术——其Qg*RDS(on) 是传统平面型 MOSFET 的一半左右。 另外，新技术还采用了寿命控制制程，从而可以提高dv/dt强度和体二极管的反向恢复性能。
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