帳號:
密碼:
最新動態
產業快訊
CTIMES / 文章 /
有機EL長壽化技術動向
 

【作者: 高士】   2004年07月01日 星期四

瀏覽人次:【3742】

前言

2003年數位相機首度採用有機EL顯示器,促成有機EL顯示器正式進入商品應用摸索階段,而商品化首要特性就是使用壽命必需可以媲美液晶顯示器。由於最近幾年發光材料科技的進步,有機EL顯示器的使用壽命已經突破1萬小時,因此有機EL顯示器未來發展動向備受相關業者高度重視。


有機EL顯示器的發光效率

(圖一)是日本各研究單位針對有機EL顯示器的發光效率提出的研究報告,由圖可知新世代燐光有機EL的量子效率為5%,大幅超越螢光元件(device)的量子效率,其中綠色燐光有機EL的量子效率更突破5%的門檻。以往螢光元件的紅色發光效率始終無法突破極限,由於燐光材料的出現,top emission取光效率的提高,加上其它相關技術的組合,使得紅色的發光效率獲得大幅提升,不過業者目前比較關心的是藍光的發光效率極限。


雖然改變host系的材料或是hole block材料,對發光效率的改善具有實質效益,不過不可否認的是提高藍光的發光效率,實際上還有許多問題有待克服。


《圖一 有機EL顯示器的發光效率》
《圖一 有機EL顯示器的發光效率》

如何實現長壽化

(圖二)是各種不同材質有機EL顯示器的使用壽命比較,橫軸為初期輝度,縱軸為半衰減壽命,圖中的黑色實線為TDK與出光興業白色螢光元件的使用壽命;圓圈則是三菱化學rubrene的白色燐光有機EL 元件的特性,該有機EL元件的初期輝度為300,使用壽命為7500小時。該公司研究人員表示雖然燐光有機EL的開發時程比螢光有機EL晚,不過燐光有機EL具有很高的發展潛能(potential),因此該公司計劃未來將使用壽命提高至10萬小時。圖中的「IMES」是使用出光產業開發的螢光材料,再利用multi photon製成多段積層結構,它的初期輝度為10000,使用壽命大約是5000~6000小時,比較特別的是上述材料可因不同的元件結構大幅延長使用壽命。


《圖二 有機EL顯示器的使用壽命》
《圖二 有機EL顯示器的使用壽命》

(表一)是有關有機EL長壽化的發展動向。提高有機EL顯示器的使用壽命,最簡單的方法是控制電洞(hole)的注入,便可以達成上述目的。例如螢光的dopent由於doping本身與長壽化相結合,就是提高有機EL使用壽命的最佳佐證。雖然有機EL的混合發光層與陰極界面層仍然有問題,不過它可以利用LiF膜層使上述膜層的界面穩定化,除此之外也可以使用經過alkali dope穩定化的陰極獲得相同效果。


有機EL元件是利用脈衝(pulse)方式驅動,因此duty驅動方式與DC連續驅動方式對使用壽命具有絕對性的影響,然而不論採取哪種方式,未來都必需針對元件內部電荷與charge up的動作機制進行深入的研究。


有關材料的發展動向,根據實驗結果顯示一旦注入燐光材料,有機EL元件會有不穩定的傾向,雖然研究人員試圖開發各種電洞輸送材料,不過上述現象改善效果相當有限,換言之使用穩定的電極同時開發有效的電子輸送材料,是今後必需克服的技術瓶頸,因為發光層若使用只能讓電洞亦即electron流動的材料,會面臨氧化與還原兩難的窘境。有關元件的結構,根據研究結果顯示提高top emission的開口率,可以有效降低電流密度。


《表一 有機EL長壽化的發展動向》
《表一 有機EL長壽化的發展動向》

(表二)是有關有機EL元件特性劣化的主要原因,基本上有機EL元件特性劣化原因可分為,「有機材料本身的問題」與「界面問題」兩項。有機材質本身的問題又可分為「物理性劣化」與「化學性劣化」兩種。


物理性變化造成元件特性劣化,主要是有機材料結晶化所致,因此根本解決方法是開發穩定的非晶質材料。有關化學性變化主要是經年累月反覆的氧化、還原所造成,不過詳細的動作機制目前還不清楚。除此之外發光動作也會使有機EL元件發生化學性劣化,一般認為它是電洞與電子再結合時激發有機分子,當激發狀態回復成基底狀態時會產生發光現象,在此同時卻出現激發狀態本身非常不穩定的問題。


有關界面問題造成的劣化現象,主要原因是電極接觸不良,造成有機材料界面之間發生相互擴散現象所致,尤其是Al電極極易與有機材料發生化學反應。雖然與電極的化學反應可藉由陰極與界面層的改良,獲得某種程度的改善,不過整體而言必需考慮界面問題。


《表二 有機EL元件特性劣化的主要原因》
《表二 有機EL元件特性劣化的主要原因》

(圖三)是利用發光層的設計延長有機EL元件使用壽命的具體實例,它是美國UniversalDisplay公司利用螢光體開發的有機EL元件,基本上它是將所謂的異質(hetero)結構分割成正孔輸送層與電子輸送層雙層藉此結構產生光線,電洞與電子彼此各別移動並在界面處結合,如果改變上述構造並將正孔輸送層插入電子輸送層,形成與電子輸送層呈傾斜組合,或是將正孔輸送層與電子輸送層混合使組合傾斜,並以階段性改變都可以延長有機EL元件使用壽命。


除此之外1998年美國Motorola利用均勻混合的Alq3與a-NPD產生光線,該元件的結構若以發光層整體角度而言可以歸類為bipolar。由於階段性改變Alq3與a-NPD的混合比可以延長有機EL元件使用壽命,因此可以彌補Alq3容易氧化的弱點。


《圖三 有機EL顯示器的發光層設計實例》
《圖三 有機EL顯示器的發光層設計實例》

(圖四)是L-V特性圖,由圖可知正孔注入層具有電壓依存性。雖然電壓特性隨著膜層種類的不同會有很大的差異,不過基本上只要抑制電壓發光的話,都可以獲得低電壓化效果,其中又以CuPc系膜層的低電壓化效果最顯著。如果考慮膜層的注入問題時,由於正孔輸送材料上方設有發光層,因此必需處理與Alq3劣化有關的問題才是根本解決對策。


此外所謂的CBP燐光host材料未來的發展備受研究人員高度關注,因為根據初步研究結果顯示,上述材料的移動度比a-NPD更高,而且具備某種程度的電子移動度。


《圖四 正孔注入層的電壓依存性》
《圖四 正孔注入層的電壓依存性》

燐光元件的特性

由於燐光發光元件是由各種材料所構成,因此最少需要五層,尤其是發光層與正孔阻止層,以往都是使用不同種類的材料,因此如何將Alq3堆疊造成的劣化動作機制加以轉換,成為未來必需克服的課題。


接著要介紹hole injection常用的高分子材料。(圖五)為利用高分子正孔注入層構成的燐光發光元件的特性。有關電壓特性與電洞特性,雖然高分子材料的效率比CuPc好,不過若欲維持高分子電洞(hole)的話電壓就會下降,主要原因是類似CBP host材料離子化潛能(potential)非常高,因此高分子電洞很不容易進入正孔注入層,雖然上述現象的動作機制還不清楚,不過一般認為電洞若能進入正孔注入層效率可望大幅提高。


《圖五 由高分子材料正孔注入層構成的燐光發光元件特性》
《圖五 由高分子材料正孔注入層構成的燐光發光元件特性》

(圖六)是燐光發光元件的驅動特性,該圖是室溫環境下初期輝度為500時的使用壽命測試結果,由圖可知CuPc與高分子材料的動作特性並無明顯差異,而且兩者都有低電壓優點,電壓上升幾乎完全相同。


《圖六 由高分子材料正孔注入層構成的燐光發光元件特性》
《圖六 由高分子材料正孔注入層構成的燐光發光元件特性》

(圖七)是有機EL發光元件的驅動特性,它是根據螢光元件與non dope的Alq3描繪(plot)的結果,有關圖中標示的1.2輝度加速係數,根據實驗顯示即使材料經過doping,結果該係數幾乎完全相同。由CBP材料構成的燐光發光元件,具有輝度加速係數為1.4的依存性,主要原因是該係數非常大,因此會出現某些熱性弱點,此外CBP容易結晶化也是原因之一,根據CBP資料顯示它的輝度加速係數高達1.8,由此可知CBP材料具有很大的輝度依存性。由於CBP材料是用濕製程(wet process)製作,所以詳細發生原因還不清楚,目前低分子系CBP材料的使用壽命比高分子系長,未來這類燐光材料若能克服以上問題,燐光系材料的使用壽命可望媲美螢光系材料。


《圖七 有機EL顯示器的使用壽命與輝度的依存性》
《圖七 有機EL顯示器的使用壽命與輝度的依存性》

(圖八)是有機EL顯示器的材料發展藍圖(road map),根據三菱化學研究人員表示燐光系有塗佈技術,有機EL顯示器如果利用塗佈方式的話,可以提高製程的良品率與動作時取出效率。


《圖八 有機EL顯示器的材料發展藍圖》
《圖八 有機EL顯示器的材料發展藍圖》

結語

有機EL元件為主動性發光元件,它具有容易製作、低成本、高輝度、可撓曲、薄型化、省電、無視角限制等優點,因此長久以來被視為可撓式顯示器、電子書,以及各種被動式顯示器背光照明光源的最佳選擇,2003年數位相機首度採用有機EL元件作為顯示面板,這意味著有機EL顯示器的性能已經通過嚴苛的環境測試,此外加上燐光系發光材料技術上的突破,使得有機EL顯示器正式邁入商品應用摸索階段。


相關文章
有機EL長壽化技術動向
相關討論
  相關新聞
» 台達啟用全台首座百萬瓦級水電解製氫與氫燃料電池測試平台 推動氫能技術創新 完善能源轉型藍圖
» 台達名列台灣前十大國際品牌 連14年入選台灣最佳國際品牌 品牌價值年增9%創新高
» Nordic Thingy:91 X平臺簡化蜂巢式物聯網和Wi-Fi定位應用的原型開發
» 艾邁斯歐司朗全新UV-C LED提升UV-C消毒效率
» ASM攜手清大設計半導體製程模擬實驗 亮相國科會「科普環島列車」


刊登廣告 新聞信箱 讀者信箱 著作權聲明 隱私權聲明 本站介紹

Copyright ©1999-2024 遠播資訊股份有限公司版權所有 Powered by O3  v3.20.2048.3.148.144.139
地址:台北數位產業園區(digiBlock Taipei) 103台北市大同區承德路三段287-2號A棟204室
電話 (02)2585-5526 #0 轉接至總機 /  E-Mail: webmaster@ctimes.com.tw