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找寻梦幻内存
 

【作者: 廖專崇】2003年11月05日 星期三

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高科技产业之所以兴盛,相当重要的原因之一便是数字技术所具有的记忆与拷贝功能,我们在将复杂的模拟讯号转换为简单的数字讯号时,由于只有「0」与「1」的讯息,因此在记忆数据的时候,只要把具有正负两种特性的物质加以利用就可以了,最明显的就是利用磁性物质的磁场而做成记忆装置的硬盘。


目前数字储存技术主要分成三种:磁式、光电式与半导体式,本文主要探讨的是半导体式的储存技术,不过半导体储存技术基本上又分为挥发性(Volatile)与非挥发性(Non-volatile)两种,挥发性内存技术较为成熟,也是目前半导体记忆技术的主流,包括DRAM(动态随机存取内存)、SRAM(静态随机存取内存)等都是;而非挥发性内存技术包括过去的Mask ROM(光罩式只读存储器)、EPROM(可抹式只读存储器)、EEPROM(电子式可抹写只读存储器)与新兴的Flash(闪存)、FRAM(铁电内存)、MRAM(磁性内存)与OUM(相变化内存)等。


所谓挥发与非挥发的差别在于挥发性内存在电性消失后,储存于其上的数据便消失不见,但是非挥发性内存在电性消失后,仍然能够将数据保存下来,近年来由于可携式电子产品的发展,磁式和光电式的储存设备并无法满足轻、薄、短、小的要求,所以半导体记忆技术尤其是非挥发性记忆技术的成长相当迅速,最近市场上NAND Flash内存更传出缺货的消息。
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