联电推14奈米eHV FinFET平台 助力新一代智慧手机显示技术创新

联华电子推出用於显示驱动IC的14奈米嵌入式高压(eHV) FinFET技术平台，并可提供制程设计套件(Process Design Kit, PDK)供客户进行设计导入。此全新制程已於联电12A厂完成验证，可提升电源效率与效能，同时缩小晶片尺寸，助力新一代显示技术的发展。

相较於联电目前量产中最先进的22奈米制程eHV解决方案，14奈米eHV FinFET平台可降低40%的功耗与缩小35%的晶片面积，进一步延长电池续航力，并支援更小型、轻薄的驱动模组设计，以提供高阶与摺叠式OLED智慧型手机显示应用。

在数位电路方面，14奈米平台以FinFET元件取代平面电晶体，并透过最隹化的I/O元件设计与更高的驱动速度，进一步提升电气效能，确保讯号完整性，同时支援高解析度显示应用所需的高刷新率。此外，优化後的中电压元件具备更小的线宽间距并支援更广泛的电压操作范围，为驱动电路设计提供更高的弹性。

联电长期在OLED显示驱动IC市场中居於领先地位，目前亦为业界提供22奈米显示驱动IC解决方案的晶圆代工厂。凭藉着领先的eHV制程技术、完整的IP资源与强大的设计支援能力，联电以涵盖0.6微米至14奈米的高压制程技术平台，为显示产业提供最完整的解决方案，携手客户共同引领显示新世代。