在静态开关应用中，电源设计着重於得以降低导通损耗、优化热性能、实现精简轻便的系统设计；英飞凌科技（Infineon）正扩大其CoolMOS S7 系列高压超接面（SJ）MOSFET 的产品阵容因应所需。该系列元件主要适用於开关电源（SMPS）、太阳能系统、电池保护、固态继电器（SSR）、马达启动器和固态断路器，以及可编程设计逻辑控制器（PLC）、照明控制、高压电子保险丝/电子断路器和（混动）电动汽车车载充电器等应用。

图一 : 英飞凌高压超接面 MOSFET 系列产品新增工业级和车规级元件，新产品适合於静态开关应用。

该产品组合扩充新增了创新的 QDPAK 顶部冷却（TSC）封装，能够在较小的封装尺寸内实现丰富的功能，使得该元件在低频开关应用中极具优势，并可以降低成本。得益於新型大功率 QDPAK 封装，这款元件的导通电阻值仅为 10 mΩ，在市场上同电压等级产品中以及采用SMD 封装的产品中属於最低值。CoolMOS S7/S7A 解决方案通过最大程度地降低 MOSFET 产品的导通损耗，提高整体效率及系统性能。

CoolMOS S7 电源开关还借助已改进的热阻来有效管理散热，透过采用创新、高效的 QDPAK 封装，减少甚至消除固态设计中对散热器的需求，从而使系统变得更加精简和轻便。该系列 MOSFET产品提供顶部散热和底部散热两种封装形式，均能够抵御高脉冲电流，并应对突然的浪涌电流。此外，该系列 MOSFET产品还具有体二极体的稳健性，能够确保在交流线路换向期间可靠运行。

由於所需的元件较少，CoolMOS S7系列高压超接面MOSFET因此得以实现灵活的系统整合，并大幅降低成本。同时，该系列MOSFET 产品还能缩短反应时间，尤其在断开电流时，能够更加平稳、高效地运行。

用於静态开关的全新 600 V 工业级 CoolMOS S7 和车规级 CoolMOS S7A 超接面 MOSFET，均提供顶部和底部冷却QDPAK封装（PG-HDSOP-22）两种封装形式可选择，新产品现已开放订购。