英飞凌科技（Infineon）宣布成功开发出全球首创12寸氮化??（GaN）功率半导体晶圆技术。英飞凌是全球首家在现有且可扩展的大规模生产环境中掌握此一技术的企业，这项突破将大幅推动GaN功率半导体市场的发展。相较於8寸晶圆，12寸晶圆因晶圆直径的扩大，每片晶圆上的晶片数量增加2.3倍，能够显着提高效率。

图一 : 英飞凌 CEO Jochen Hanebeck 手持全球首批12寸GaN 功率晶圆，该晶圆是在现有的大批量且可扩展的生产环境中所制造。图二的12寸晶圆因直径扩大，每片晶圆上的晶片数量大增，使得生产效率显着提高。

在工业、汽车、消费、运算和通讯应用中，基於GaN的功率半导体正快速普及，包括AI系统电源、太阳能逆变器、充电器和适配器以及马达控制系统等。先进的GaN制程能够提高元件性能，为终端客户的应用带来更高的效率、更小的尺寸、更轻的重量和更低的整体成本。此外，凭藉着可扩展性，12寸制程在客户供货方面具有极高的稳定性。

英飞凌执行长Jochen Hanebeck表示，作为电源系统领域的领导者，英飞凌充分掌握了全部三种相关材料：矽、碳化矽和氮化??。英飞凌已成功在其奥地利菲拉赫（Villach）功率晶圆厂中，利用现有12寸矽生产设备的整合试产线，制造出12寸GaN晶圆。英飞凌将根据市场需求进一步扩大GaN产能。凭藉12寸 GaN制程技术，英飞凌将推动GaN市场的不断增长。据估计，至2030年末，GaN市场规模将达到数十亿美元。
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