软错（Soft Errors）是半导体元件中的「杂讯脉冲」或资料流失，并不会刻意重复发生。这些随机发生的杂讯脉冲通常不会衍生严重的后果，同时不会损坏元件。造成杂讯脉冲的外在因素超乎研发业者的可控制范围，其中包括α粒子、绘图处理器宇宙射线以及热中子。事实上，许多系统均能容许某种程序的软错。例如，若工程师正针对音效、影片或静态影像系统，设计一组预先压缩的撷取缓冲区或解压缩后的播放缓冲区，则相关的错误位元（bad bit）可能不易被使用者察觉，并且也不是那么重要。然而，当记忆体元件被使用于支援各种关键任务的应用，负责控制系统运作时，软错可能就会产生严重的影响，不单只是造成资料的毁损，更可能导致功能与系统的故障。而本文将探讨这些软错的成因、不同的量测技术以及克服这些软错的方法。

软错是新问题吗？

软错率（SER）的问题在1970年开始被业界广泛重视，当时DRAM开始出现许多随机性错误的迹象，被认为是一种记忆体资料问题。随着制程技术的规格持续缩小，造成故障所需的电荷持续减低，且速度远超过记忆体单元中的电荷储存区（collection area）。这意谓着在90奈米这类小尺寸的元件中，软错问题愈来愈受到注意与重视，同时须加入更多的步骤才能确保软错率降低至可接受的范围内。
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