瑞萨推出新一代用於电动汽车逆变器的矽IGBT

瑞萨电子（Renesas Electronics）宣布开发新一代矽绝缘栅双极电晶体（Si-IGBT），以提供低功率损耗且小型的封装。针对新一代电动汽车（EV）逆变器的AE5 IGBT将於2023年上半年开始在瑞萨位於日本那??市工厂的200和300毫米产线上生产。此外，为了满足对功率半导体产品不断增长的需求，瑞萨位於日本甲府市工厂新的300毫米功率半导体产线，也将从2024年上半年开始量产。

图一 : 瑞萨开发新一代Si-IGBT，以提供低功率损耗且小型的封装。瑞萨甲府工厂的新300mm产线将生产新的电源产品

与目前的AE4 IGBT产品相比，AE5制程可降低10%功率损耗，有助於EV开发人员减少电池消耗并增加行驶里程。此外，新产品体积约缩小10%，同时保持高稳健性。瑞萨的新元件通过平衡低功率损耗和稳健性，实现了高水准的IGBT性能。另外，新的IGBT最大限度地减少IGBT之间的叁数变化，为并联运作时提供更高的稳定性，显着提高模组的性能和安全性。这些特点为工程师设计高性能的小型逆变器提供了更大的灵活性。

瑞萨电源系统业务部??总裁小西 胜也表示：「随着EV的普及，对车用功率半导体的需求迅速增加。瑞萨的IGBT提供高可靠且强健的电源解决方案，这些解决方案基於我们过去这七年来在车规级电源产品的制造经验。随着最新元件即将量产，我们将为未来快速成长的中阶EV逆变器提供最隹功能和性价比。」
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