记忆体中最热门的三大类记忆体，包括动态随机存取记忆体(Dynamic Random Access Memory；DRAM)作为大容量的主记忆体之用、静态随机存取记忆体(Static Random Access Memory；SRAM)作为和速度快的微处理器(CPU)配合的快取记忆体之用、快闪记忆体(Flash Memory)作为可永久保存且可修改的重要系统资料储存之用。

《图一 全球DRAM市场规模》

全球记忆体市场规模

根据Dataquest资料显示，1999年全球记忆体市场规模达355亿美元，而2000年成长53%，市场规模达544亿美元，其中除了占有比率最大的DRAM有36.5%的成长之外，Flash Memory和SRAM在2000年的成长率上都有非常杰出的表现，Flash Memory有超过两倍的成长，SRAM也有62%的高成长。以下就DRAM、SRAM和Flash Memory分别做介绍。

《图二 全球SRAM市场规模》

全球DRAM市场规模

1999年DRAM产业景气好转，全球DRAM市场规模达231亿美元，相较于1998年大幅成长48.1%，而2000年DRAM市场规模也以36.5%的成长达315亿美元。而2001上半年，全球DARM市场明显是供过于求现象，DRAM价格低糜不振，各DRAM相关业者无不想清出库存，从DRAM晶粒的制造商到DRAM的通路商及经销商都是如此。

根据Dataquest统计，2001年整年呈现供过于求的状况，或许随着2001年下半年需求较旺的机会，供过于求的现象会趋缓，不幸地，美国911恐怖事件的发生，势必会影响全球景气的回升，看来只有等到2002年的下半年之后才会有供不应求的可能。 2001年相较2000年全球DRAM市场呈现55.5%的负成长，规模只有140亿美元，其市场规模和1993年相当，也创下1985年以来成长率最低记录(图一)。

虽然DRAM景气在1999年明显回升，也有许多DRAM厂商不愿错失市场商机，加码投资，因此12吋晶圆厂的建厂计划不断地被提出，并投资相关制程设备，但没想到在2000年下半年起，DRAM价格明显下滑，在全球经济不景气、DRAM需求不强以及供给和库存仍是问题的条件之下，这样的低糜景况延续到2001年，令DRAM业者非常头痛。

因应通讯和消费性产品在Flash和SRAM的需求潜力，许多DRAM厂商不得不积极规划Flash Memory和SRAM的产品布局，众多DRAM厂商也纷纷减缓投资脚步，使得12吋晶圆厂的产能开出时程延后，这对整体供需平衡来说是好的。 1999年台湾的DRAM产值规模呈现85%的超幅成长，产值达30.5亿美元，2000年为36.6亿美元，成长率为20%。 2001年也受到全球DRAM不景气的影响而呈现负成长。

全球DRAM市场规模

1995年全球SRAM市场规模达61亿美元，随着全球性的变动，SRAM在1996~1998三年市场规模都呈现负成长，在需求带动的情况下，1999和2000年都有不错的表现，2000年达74亿美元，相较1999年成长62%，如图二所示。观察2001年，SRAM的ASP和产量都较下跌，成长率预期衰退25%。 (图二)

全球Flash市场规模

在使用Flash memory做为资料储存的部分更是有蓬勃的发展，除了不同种类的Flash card百花齐放之外，还有所谓的矽碟(Flash Disk)等相关产品的发展，其来势汹汹，对传统硬碟有一定的威胁。最后，除了Intel是行动电话所用Flash Chip的最大供应商，包括国内外的Flash memory制造商皆大力拓展其展品至其他五花八门的应用，其中尤以IA等消费性电子装置为制造厂商积极推展其产品的重要应用领域，预计将会成为Flash memory市场未来成长的主要动力来源之一。

《图三 2000年Flash Card营收之市场占有情形》

记忆体应用分析

随着高技术发展，人类生活越来越有效率和便利，除了如PC等资讯应用产品之外，资讯家电(Information Appliance；IA)即是一项新兴的产品概念，再加上网际网路和通讯产品，让人类的生活有重大的改变。

IA世代兴起的因素主要归功于半导体技术的进步、网际网路的普遍化、无线通讯科技的快速发展以及多媒体技术日趋成熟。资讯家电产品可分为个人用、家庭用以及企业用三类，而不再以传统的分类方式，如资讯、通讯、消费性等。其主要原因在于资讯家电愈来愈趋向整合多功能于一项产品上，所以传统分类的界限已被打破。

DRAM未来趋势

DRAM的应用产品主要可以划分为三大类，第一类是资讯应用类：如桌上型电脑、笔记型电脑、DRAM模组、伺服器、工作站、大型以上等级电脑和硬碟等；第二类是消费性应用类：如游戏主机、视讯转换器(STB)、印表机(包含雷射印表机)、DVD​​播放器等；第三类是网路通讯应用类：如答录机、传真机、路由器等。

911事件影响强大

根据Dataquest资料显示，桌上型电脑需求量2001全年达1.14亿台，相较于2000年的1.09亿台成长率为5%，2001年的桌上型电脑成长率表现不佳，是历年来最惨淡的一年，若今年第四季受美国911恐怖事件影响原本可能转好的景气，2001年全球电脑出货量将可能出现负成长。

2001年和2002年各应用产品的DRAM使用量(MB)排名(表一)，其中以个人电脑排名第一，2001年市场占有率为36.4%，2002年降到32.6%；记忆体模组应用排名第二，2001年市场占有率为28.3%，2002年为30%；伺服器排名第三(2001年占6%)；工作站排名第四(2001年占5.6%)；产业应用排名第五( 2001年占3.6%)；中型电脑排名第六(2001年占3.1%)。

SRAM的趋势

SRAM的应用产品主要可以划分为三大类，第一类是资讯应用类：如资料储存产品、PC及主机板等；第二类是消费性应用类；第三类是网路通讯应用类：如行动通讯设备，手机、传呼机等。根据Dataquest资料显示，行动通讯设备包括手机、传呼机、行动通讯基础设备等，手机2000年用的SRAM占整体SRAM市场的22%，达16亿美元。手机中使用Low Power SRAM的容量有1M(x8)：GSM手机最多，能处理声音和英文输入；2M(x8)：GSM手机处理声音加上中文输入。

4M(x16)：2.5G的手机都以4M为主，如CDMA，处理声音、还有网路。手机使用8M(x16)以上的量目前仍不多。传呼机用的SRAM也近1亿美元的规模。其次是资讯类应用的资料储存设备，2000年这类产品用的SRAM占整体SRAM市场的15%，达11亿美元；Premise Telecom也占SRAM市场的10%，达7.4亿美元，消费性应用产品占9%，达6.7亿美元(表二)(表三)。

SRAM产品技术经过众多相关设计业者的投入，发展出许多因应不同IA产品需求的特殊SRAM产品，如网际网路应用需要快速且高频宽的SRAM，如手机等可携式IA产品需要低耗电量且更轻巧的SRAM；因此SRAM产品从个人电脑应用的快取记忆体(Cache)走向高频宽，低耗电量，体积更小，成本更低的方向发展。

在低功率方面，三星推出低功率SRAM系列，还有更低于标准功率的产品如Micro Power & Low Voltage SRAM；三星也率先在全球开发出UtRAM记忆体，用DRAM单元结构的新型态SRAM，突破SRAM的容量限制，适用于新世代手机，具有高容量和低耗电量特色。 Cypress的MoBL(More Battery Life) SRAM产品，具有极低的功率消耗，比标准规格的Low Power SRAM还省90%的电力，主要可应用在新世代的无线产品，如3G手机、传呼机和个人数位助理器(PDA)等。

在高速方面，三星推出NtRAM(No turnaround RAM)，是一种同步静态随机存取记忆体(Synchronous SRAM)，主要应用于网路系统，具有读、写资料时，讯号不会中断的优点；此SRAM产品类似IDT、美光、摩托罗拉的ZBT(Zero Bus Turnaround)SRAM。而Cypress的NoBL(No Bus Latency) SRAM产品，具有独殊架构，可为高速需求产品提供大频宽，比如Networking，而且NoBL SRAM也消除了这些延迟现象(latency：dead cycles或wait states)。

在更高速的SRAM方面，有QDR SRAM(Quad Data Rate SRAM)和SigmaRAM的产品，均是针对能让读写埠同时运作的网路应用为主。 Cypress的先进先出(FIFO)和多埠(Multi-port)SRAM也是针对未来网路大量资料传输需求所设计。

在小体积和低成本方面，有运用DRAM结构、SRAM界面的Pseudo SRAM以及富士通开发的高速记忆体FCRAM(Fast Cycle RAM)，运用DRAM架构技术生产，具有与SRAM相近的性能；在晶片结构上，较易达到大容量化目标，且每位元单价低于SRAM。

Flash Memory的趋势

Flash Memory的体积比硬碟小，不怕震动，而且读取资料时的耗能也较低，所以尽管成本较高，但还是受到可携式电子产品的青睐。在Flash市场应用中，又以Flash Card的市场最具潜力。

Flash Card

Flash card是一可携式(portable)、固态(solid-state)、非挥发性(non-volatile)之周边元件，主要用来储存与传送电子资料，它不需靠电池保持资料，而且拥有传统磁碟机与光碟机所没有的好处。

Flash card包含了至少一颗的已封装Flash记忆体IC，经由parallel data介面使其可重复插卡使用。此外Flash card的优点还包括低耗电、元件(储存媒体加上储存装置)的单位成本较低以及制程进步所带来的可靠度提升。由于数位消费性产品与可携式电子产品的兴起带来影像、音乐、文件等资料的传输与储存需求，而Flash card正因能满足此需求而显得格外重要。Flash card属中低容量(不高过1GB)行动装置之主要储存媒体，其最大应用市场在数位相机(DSC)、数位摄影机、数位音乐(MP3)播放器、PDA以及手机。

然而市场上的Flash card大多不相容，每一家厂商都希望其Flash card能成为市场唯一的标准，因此这样的多重标准市场造成了Flash card价值链上每一层的竞争与合作。目前Flash card市场由Compact Flash与 SmartMedia主导，两者市场占有率合计达到70%。另外Sony挟其所掌握之庞大消费性电子产品市场，2000年Memory Stick的Flash card市场占有率也达到了10%。 (图三)

国内的DRAM制造厂商，如茂德、茂矽、华邦、南亚、力晶、世界先进等。因为体认到DRAM景气变化剧烈，产值波动大，价格的变化幅度也大，所面临到的经营风险也不小，因此都有扩张非DRAM产品线的长期计划，如扩大SRAM和Flash Meomry的产品比重等，但基于国内DRAM制造厂商在SRAM和Flash的技术上仍在深入开发阶段。

代工合约和技术合作方式来切入非DRAM领域的趋势愈来愈高，未来国内这些DRAM厂商将有更多机会与国外或国内在SRAM和Flash技术上有所投入的厂商采取合作，如力晶为三菱代工SRAM产品及世界先进获得SST的Flash代工订单等。

国内的SRAM制造上不若DRAM制造那么热络，但国内的设计业者在DRAM和SRAM上有所投入者众，如晶豪/沛讯、钰创、矽成、吉联、台晶、宇庆、联笙、连邦以及盛群等，也有许多新公司成立，如登峰和京典矽旺等。

国内这些设计业者在DRAM和SRAM上是走利基产品路线，针对非主流或较特殊的应用市场为主，目前DRAM技术走向DDR SDRAM，国内无论是DRAM制造商或是设计业者，都积极为DDR技术布局，大容量的DRAM如256Mb，也是DRAM制造商下一步生产的目标，对于设计业者并不一定往大容量追赶。

也许16Mb、64Mb中较特殊组态(如x32)的DRAM应用对于国内设计业者而言也有不错的市场需求及利润，尤其目前全球DRAM景气不佳的时点，如何切入利基市场是个重要的问题，国内设计业者在SGRAM绘图应用上也多有着墨。

而国内业者在手机通讯需求市场的带动之下，低功率SRAM(Low Power SRAM)的研发也有投入，如钰创除了朝向单晶片SoC发展之外，低功率SRAM在手机市场应用上也持续出货，占公司的营业比重往上攀升。台晶未来SRAM产值占营收比重将逐步增加，主力也在低功率SRAM，包括256Kb、1Mb的产品、高速SRAM也往2Mb迈进。矽成在DRAM产品上积极转进0.18微米先进制程，其SRAM产品在消费性电子产品应用上表现良好，也推出4Mb以上低功率SRAM往通讯应用迈进。

全球Flash memory厂商

尽管行动电话所用之8Mb与16Mb NOR Flash降价，不过Intel与AMD认为日韩逐渐接受行动电话上网与宽频CDMA，所以持续增产。行动电话所使用的Flash memory的主要供应商为Intel、AMD、Fujitsu、Sharp及Mitsubishi等，目前行动电话多以16Mb、3V的Flash memory为主，未来将走向1.8V与32Mb。

除了行动电话之外，Intel以其价格较一般Flash memory低约三成到四成，但效能却较高的StrataFlash进攻PDA市场，而此举立刻获得台湾大众、华硕及神达以及大陆恒基伟业的青睐，PDA已成为Intel在行动电话之外另一重要战场。至于第二大厂商AMD则是在2001年3月推出Flex Bank架构的Flash memory，该产品主攻行动电话与PDA等可携式装置市场。 AMD在2001年即与PDA厂商Palm签订合约，提供高容量Flash memory， 根据合约，AMD将是Palm至2003年主要的Flash晶片供应商。

AMD的应用也是以行动电话为主，不过还扩大到视讯转换器、游乐器以及数位资讯家电IA等领域，目前也是积极攻占PDA市场。 Fujitsu生产的Flash memory有60%~7​​0%用在行动电话，除了行动电话之外，并积极发展数位影音用的Flash memory。 Sharp的Flash memory则是在2000年达到营收高峰，其Flash memory主要用于行动电话，另外还有用在PDA、STB等IA产品。

Mitsubishi已量产64Mb Flash memory，向行动电话市场促销，另外亦量产256Mb AND Flash，供数位相机使用。 2000年NEC投入0.18微米制程的64Mb Flash memory研发，以因应未来I-mode等3G行动电话的需求。而STMicroelectronics在2001年一开始即针对PDA与Smart Phone推出64Mb Flash memory，并针对视讯转换器与个人行动电话提供32Mb MLC Flash memory。 Samsung为了因应MP3 player、DSC与PDA等掌上型电脑的蓬勃发展，于2000年开始量产256Mb Flash memory。

2001年3月时Mitsubishi推出结合UtRAM与NAND Flash的多晶片封装记忆体，容量有32Mb与64Mb，操作电压有1.8V、2.5V及3V三种，拟打入3G行动电话。过去行动电话多使用NOR Flash，因为考虑到随机读取机制，但随着多媒体资料传输的需求增加，需要更大容量的记忆体，因此开始使用随机写入能力较佳的NAND Flash。除了行动电话市场，Samsung在2001年中开发出最省能的128Mb NAND Flash，适用于PDA、摄录放影机、MP3随身听。此外Samsung在2001年还推出容量512Mb且厚度超薄的NAND Flash，应用于超轻超薄的数位摄录影机、数位相机以及数位音乐播放器等。

Samsung计画于2001年中量产0.15微米的512Mb NAND Flash，该产品可应用于Smart Media card 与Compact Flash card等大容量的储存，目前约有45%的数位相机使用Compact Flash card为其储存媒体，PDA与MP3也常以Compact Flash card为其日后扩充的媒介。 Toshiba、Hitachi与Samsung是数位相机与数位音乐播放器所用Flash memory的主要制造商。

Toshiba与San Disk合资成立的Flash Vision于2000年底生产256Mb与512Mb Flash memory，应用于行动电话、数位音乐随身听、手持式电脑及其他消费性电子产品。 Toshiba向来专注在NAND Flash(用于Flash card)的生产，并以应用于数位相机储存媒体用大容量产品为主，2000年时还降低DRAM产能用以提升数位相机用Flash memory月产能。此外为了因应2000年初行动电话的快速成长，也增加小容量Flash memory的生产，并研发出行动电话用的64Mb Flash memory，开发64Mb与32Mb Flash memory供I-mode手机使用。国内厂商旺宏2001年的新产品3V的32Mb Flash memory，目标客户为手机与资讯家电IA 制造商，旺宏在2001年初提供Palm低容量Flash memory，以4Mb~8Mb为主。

DRAM规格多方发展，PC用主记忆体仍然是景气关键

个人电脑在DRAM应用上的比重仍然位居第一，但比重逐渐降低是未来的趋势，随着网际网路的发展日趋重要，伺服器产品占DRAM应用的重要性也应会逐渐上升，而其他IA产品的比重也在上升，在IA时代之下， PC在DRAM应用上虽然比重最高，但整体应用结构看来，有较以往不同的力道在往非PC 应用在变动，这股变动力道相信就是IA时代兴起所带来的势力；或者说，在半导体技术不断进步的前提下，资讯、通讯以及消费性三大类的应用领域界线越来越模糊，因此许多非资讯类的应用兴起。

虽然IA产品目前占DRAM应用比重仍低，但未来的成长性却不容忽视，更重要的是，二十一世纪IA时代的兴起，不只是带来多样化的应用产品类别，更意味着半导体产业的应用结构会有深远的改变，对于DRAM业者而言，这是个新契机，也是个大挑战，契机意谓着是未来有更多的应用产品需求要用到DRAM；挑战意谓着是不同的IA产品需求，需要不同特性和功能的DRAM，这需要业者在研发上有更多的投入和努力。

可携式产品SRAM需求高，往低功率、小体积发展

随着手机的快速普及，SRAM应用在手机的比重就达22%。网际网路和电信业的快速发展，也为SRAM产业带来新的应用机会。 SRAM产品技术经过众多相关设计业者的投入，发展出许多因应不同IA产品需求的特殊SRAM产品，如网际网路应用需要快速且高频宽的SRAM，如手机等可携式IA产品需要低耗电量且更轻巧的SRAM。

SRAM产品从个人电脑应用的快取记忆体(Cache)走向高频宽，低耗电量，体积更小，成本更低的方向发展。 IA产品种类众多，记忆体业者也推出针对不同产品需求的特殊解决方案，如手机应用需要Flash和SRAM的多晶片封装MCP(Multi Chip Package)产品，将Flash和SRAM一起封装在一颗IC内，不但减少体积也降低成本；另一方面，嵌入式SRAM的重要性也与日俱增。在因应IA时代的产品趋势，SRAM产品发展主要走向低功率、更高速且稳定以及体积更小迈进。

Flash应用多元化，大厂环伺下寻求利基市场发展

从市场来看，Flash尽管近来有供过于求导致价格下降的现象，但是需求面的疲软不振不会是个长期的趋势。事实上，Flash未来的市场仍是令人期待的，由于其主要应用领域，亦即通讯与消费性IA产品，它们与电脑的依存度是很高的，也就是所谓的3C整合趋势，再加上这两类应用产品的确存有消费者需求，尽管因为外在经济不景气，抑或系统产品本身的发展限制尚待突破使得这些产品的需求没有明显的扩增。

基本上，供给上升的趋势是很明朗的。至于价格方面，也许市场会质疑价格下跌是否压缩厂商获利空间，然而过去Flash memory就是因为太高的价格造成市场拓展受限，如今价格下降将可鼓舞需求的成长，对厂商而言，未必不是正面的影响。因此对台湾厂商来说，这的确是可以着力的市场，许多设计公司与记忆体厂商纷纷投入的现象说明了这一点。

从投入厂商来看，目前主要的制造厂商是美国、日本与欧洲的厂商，另外韩国也正在急起直追当中，台湾在2000年的市场占有率则是将近4%，落后韩国的将近5%。前四大的美日厂商掌握大部分行动电话用Flash memory的货源，Toshiba、Hitachi与Samsung在资料储存用之NAND Flash的发展则是领先群雄，其他前十大厂商也各有其独到本领，并且纷纷拓展于各式各样应用领域，这些大厂在产品研发与应用推展上都非常地积极。

由于这是国外大厂所积极发展的产品，技术由其操控，制程也是大厂领先发展，系统厂商也常优先考虑国外大厂的产品，再加上近来智慧财产权之专利问题，台湾厂商不太可能与国外大厂正面交锋，而是应该寻求其他的管道切入市场，像是在技术来源方面可以采用策略联盟的方式取得，也可以为国外大厂代工以增进自身技术能力，或者以利基市场做为投入的目标。

没有一家厂商能够生产各种不同种类的Flash memory，而且也没有这样的必要，因此对厂商而言，选择市场就是很重要的课题。由于目前台湾厂商已生产的产品相对较低阶，因此可针对此点找出适合攻入的领域，例如之前Palm与AMD以及旺宏合作，由AMD提供Palm较高容量的产品，而旺宏提供4Mb~8Mb的产品。

总结来说，IA的兴起对Flash市场的成长有相当大的助益，只是在国外大厂环伺之下，台湾厂商应该评估整体应用市场后，找出适合本身条件发展的方向，在技术取得上可以采取策略联盟、授权代工甚或自行研发等方式，然后寻求在利基市场上发展。

IA兴起大势所趋

由于PC成长之趋缓，使得厂商纷纷寻求增加需求之方法，于是市场开发与产品开发成为厂商主要之发展策略，所谓市场开发指的是除了现有PC使用者外，致力于开发非PC使用者之市场；而产品开发则是将PC产品的应用范围扩大，将电脑化身成为各式各样型式产品，以刺激消费者的需求，因此IA产品的出现，为大势之所趋。

国外DRAM、SRAM业者的经营型态多以整合元件制造商(IDM)及自主技术研发的设计业为主，多具有自有品牌，因此在技术的发展上较国内具有长期竞争力，在DRAM的集积度研发上，多有1Gb以上的发展实力，并且对于DDR SDRAM和RDRAM的推展也相当快速，至于制程微缩方面，积极往0.15微米以下制程迈进，0.1微米以下的制程也在研发阶段。最重要的是国外厂商在新型态的DRAM、SRAM产品的推展上具有领导的地位。 (表十四)

至于Flash从应用层面来看，台湾的机会就相对乐观许多。 IA风潮下使得Flash的应用层面更加扩大，除了通讯与资讯产品外，IA等各种可携式产品更是适合Flash来应用，因此就出现了Flash card与Flash Disk等使用Flash的小型储存装置。除了Flash主要的应用产品有很多种之外，依照储存的需要还分为Code Flash与Data Flash两种需求，此外每种系统产品的主流搭载容量都不同，同种系统产品但属不同功能或不同阶层者，所使用的搭载容量亦不同，因此Flash有很大的挥洒空间。

国内记忆体业者立足PC，布局IA新契机

目前国内半导体业者也好，记忆体业者也好，共同面临到不景气的严重问题，但12吋厂的建置是势在必行的事，只是什么时间点的问题，未来等国内业者产能加倍，担心的反而不是产能不足，而是产能利用率和产能规划的问题。对记忆体业者而言，12吋厂是以成本较敏感的产品为主，8吋厂则可发展利基型的产品或代工，相对于以往，生产的产品种类变多了，掌握技术则是竞争力的来源。

在IA时代下，国内记忆体业者所面临到的第一个问题也就是技术来源，IA产品种类众多，所需要的记忆体规格也不尽相同，要开发出符合IA产品用的记忆体并非如以往主流PC应用的记忆体，需要各家业者自行找到最适合的产品切入，善用原本的技术，开发下一世代的技术，或者利用与国外策略联盟的合作关系从代工方式切入，为多角化经营布局，降低产品线过于集中单一记忆体的风险。另外，国内记忆体制造业与设计业若能密切合作，共同为IA时代找出自己的一条路，虽然挑战，但也是新契机。