由於處理器及其他應用設備對電源與性能的需求均持續增加，而電源供應可用的印刷電路板面積通常與以前的設計相同，這使得電路板面積變得極為珍貴。因此電源供應設計者不斷地尋找增加電流密度的新方式以與增加的輸出電流齊步並進。其中一個創新的方法是採用先進的封裝技術。

新型MOSFET封裝技術──DirectFET

DirectFET 是一獨特的全新 MOSFET 封裝，其中矽晶片直接貼裝在印刷電路板上。晶片構造類似通常用於目前 DC/DC 轉換器內的 FET，其中源極與閘極接地是在晶片的一面上，而漏極接地是在另一面或基板上。(圖一)的粉紅表面是晶片的鈍態層，用於隔絕濕氣。兩個大接頭是源極接地，而小的接頭是閘極接地。貼裝到印刷電路板上的 DirectFET 的側面圖顯示漏極矽透過導電與導熱注銀環氧（silver-filled epoxy）連至一個塗銀的銅金屬外層。銅金屬外層圍繞晶片的兩面以連至印刷電路板，提供漏極接地至線路板。
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