單晶圓（Single-Wafer）清洗設備由於具備了提高製程環境控制能力、微粒去除率、設備佔地面積小、化學藥劑與純水消耗量少，以及更具彈性的製程調整能力等諸多優點，近年來已成為各半導體設備廠商積極開發的設備之一。尤其是單晶圓旋轉清洗設備在Metal後的清洗，由於能夠更有效解決Pattern在清洗後所造成的腐蝕與破壞，進一步提高產品的良率，許多其他設備如Wet Station或單槽清洗設備尚無法克服此問題。

SEZ執行副總裁Herwig Petschnig表示，SEZ為半導體產業單晶圓濕式清洗設備供應商，目前在全球各地已有超過900套晶圓清洗設備被半導體廠商所採用。SEZ在單晶圓設備開發上之最大優勢在於其化學藥劑之供給與使用，SEZ在單晶圓清洗設備上擁有化學藥劑重複使用之專利，因此在使用上可大量節省化學藥劑之用量。

目前SEZ已與熱處理製程及原子層沉積（ALD）系統供應商AVIZA合作，解決新一代IC製程中ALD薄膜的清洗問題，並將焦點放在晶圓的背面與晶邊上。由於退火環境狀況會直接影響薄膜背面與晶邊清洗流程的複雜度，隨著晶格化的程度提高，退火薄膜也需要各種特殊的配方與化學藥劑，才能徹底清除雜質，同時需維持薄膜屬性的完整度並減少交叉污染的現象，才能提高良率。由於先進薄膜本身含有複雜的成份，例如45奈米高介電係數閘極材料等，對薄膜清洗工作將造成更大困難。其主要是在選擇性清洗污染雜質，在清洗晶圓背面與邊緣的同時，須在晶圓的前面進行覆蓋，避免產生交叉污染與產生雜質，這些工作都會對元件效能、薄膜分層、黃光製程問題以及元件良率產生影響。

Herwig Petschnig指出，SEZ的單晶圓處理技術更有利於這些製程，能使已圖案化的晶圓以正面朝下的方式置於白努利托盤上進行處理。結合托盤、化學藥劑分配系統以及反應室，能在預先設定的距離下，在晶圓的前面形成高度控制的覆蓋面。

此外，SEZ也與記憶體元件廠商達成合作研發計畫（JDP）的協議，以針對量產型前段製程（FEOL）清洗技術開發更適合的解決方案。此協議將藉由單晶圓溼式處理設備縮短65奈米以下製程的週期時間以提高良率，並降低成本。合作的重點在於開發能與量產環境相容的高效能、不損壞結構的FEOL清洗方案。此合作研發計畫也將針對精密的FEOL架構開發解決方案，解決過去在批次洗淨技術上難以克服的問題。

《圖一》