巨磁阻多圈位置感測器的磁體設計

基於巨磁阻（GMR）感測技術的真正上電多圈感測器必將徹底改變工業和汽車用例中的位置感測市場，原因是相較於現有解決方案，其系統複雜性和維護要求更低。本文說明設計磁性系統時必須考慮的一些關鍵因素，以確保在要求嚴苛的應用中也能可靠運行；並且介紹一種磁性參考設計，方便早期採用該技術。

多圈感測器本質上是將磁寫入和電子讀取記憶體與傳統的磁性角度感測器相互結合，以提供高精度的絕對位置。在<具有真正上電能力與零功耗的多圈位置感測器（TPO）>文中描述的磁寫入過程，需要使用特定的操作視窗來維持入射磁場。如果磁場過高或過低，可能會導致磁寫入錯誤的出現。在設計系統磁體時必須小心仔細，並考慮可能干擾感測器的任何雜散磁場以及產品使用壽命內的機械公差。較小的雜散磁場可能會導致測量角度出現誤差，而較大的雜散磁場可能會導致磁寫入錯誤，進而引起總圈數錯誤。

磁性參考設計目標
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