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科磊与IMEC合作发展65奈米以下微影制程控制方案
 

【CTIMES / SMARTAUTO ABC_1 报导】    2004年11月08日 星期一

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KLA-Tencor与位于比利时的欧洲奈米电子及奈米科技独立研究大厂IMEC宣布双方开始执行合作开发项目(JDP),促使业界在新一代(65奈米与以下)半导体应用中加速采纳光学线宽(CD)量测技术。JDP合作项目将致力发展两项主要领域,一方面在现有的应用中扩展光学线宽量测的运用,例如:延伸浅沟槽隔离(STI)与逻辑闸至65奈米以下的环境;另一方面将光学线宽量测技术延伸至各种新应用领域,例如:3D立体接触点与导孔层。

IMEC将采纳KLA-Tencor的SpectraCD 100系统作为此研发项目的光学线宽量测工具。于去年2月问市的SpectraCD 100,已被全球各大逻辑与内存组件制造商和微影工具供货商采纳。

IMEC副总裁Luc Van den hove表示:「控制微影制程是芯片制造商在跨入奈米领域时面临到最为严苛的挑战。光学线宽量测在90奈米环境中成功控制各项关键的微影图样制程,而由于KLA-Tencor在此项技术挹注庞大的投资,因此我们将继续延续与KLA-Tencor之间的合作关系进一步发展该技术。我们相信藉由双方的合作,将能加快光学线宽量测技术发展成用以控制65奈米以下微影制程良率的主流解决方案。」

KLA-Tencor光学CD事业部经理David Fisher表示:「光学线宽量测在晶圆厂扮演愈来愈重要的角色,用以确保生产环境中的成形制程得以妥善控制,KLA-Tencor致力提升此方面的技术应用,使我们的顾客能持续满足其发展时程的需求。我们相信结合IMEC领先全球的制程能力以及我们的光学线宽量测技术,将对微影制程的发展带来新视野,协助顾客轻松转移至未来的技术环境。IME是先进半导体制程的领导先锋,我们很荣幸能在这项先进微影制程控制的合作开发项目被选为合作伙伴。」

關鍵字: 传输材料  电子资材组件 
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