旺宏电子今日宣布，今年计有四篇论文入选国际电子元件大会IEDM，其中一篇探讨3D NAND创新结构的论文更获得大会评选为”亮点论文”（Highlight Paper），是今年台湾产学研界唯一获选的亮点论文。

今年旺宏电子获选为IEDM ”亮点论文”的研究成果，主要是揭露一个崭新的3D NAND记忆晶胞架构。旺宏独立研发的平坦垂直渠道型电晶体结构(Single-Gate Vertical Channel, SGVC)，相较於其他大厂现有技术，以相同的堆叠层数却可达到2至3倍的记忆体密度。

该篇研究成果显示，旺宏的SGVC只要堆叠十六层，其记忆体密度即可达到现行闸极环绕型结构 (Gate All Around, GAA)所堆叠的四十八层效果。

此外，也因记忆晶胞为平坦垂直渠道型电晶体结构，因此可大幅减少几何效应对於整体电性的敏感度，适合於需要频繁读取资料的各式应用，低层数的堆叠也有利於制程良率的提升，对於未来发展高密度、高品质的记忆体提供了一个更具竞争力的方案。

其他入选的三篇技术论文，一篇是藉由电脑模拟的协助，降低3D NAND中相邻Wordline (WL)的干扰问题，一篇则为探讨相变化记忆体所采用选择器元件(Selector)的材料问题，旺宏研究人员发现，在TeAsGeSi(??砷诌矽)四种合成化合物中，若是掺入Se(??)，可促使Selector 具备更隹的电性开关行为，提供了现有相变化记忆体(Phase Change Memory, PCM)所需使用选择器的一种良好选择，另一篇则是探究ReRAM元件在高阻态(High Resistance State) 的变化机制。

旺宏电子自2003年起持续於IEDM发表论文，目前发表的论文数已超过60篇，近年来获选的论文篇数常居台湾之冠，且几??每两到三年即有论文获选为”亮点论文”，目前累积篇数已达6篇之多，其中2012年更同时有两篇研究成果入选为”亮点论文”。今年大会特别推荐的16篇”亮点论文”，所有投稿的台湾企业及学术研究机构中，仅有旺宏电子入选。