旺宏电子今日宣布，总经理卢志远博士荣获第十九届中华民国科技管理学会「科技管理奖」。中华民国科技管理学会今)日由理事长吴思华颁赠「科技管理奖」予卢志远总经理，以表彰他在科技管理上的杰出表现。

中华民国科技管理学会理事长吴思华(左)颁赠「科技管理奖」予卢志远总经理

卢志远总经理长期投身於科技创新及尖端研发，不但是位杰出科研专家，且又能具体实践应用。他早於1980年代中期於美国AT&T Bell Labs领导研究计画时，即曾研发高达600V之BCDMOS IC技术，为当时业界最高伏技术。

1987年，他也是全球首位於IEDM发表DRAM最诡谲的可靠性问题技术论文，促使业者大幅提升DRAM可靠度，之後领导研发0.6微米CMOS第六代Twin-tub制程技术，部份技术理论迄今仍被广泛引用。

他於1989年受邀回台出任工研院电子所??所长，带领工研院团队执行台湾最大科专计画━次微米计画，不但让台湾具备八寸晶圆产制能力，更成功将台湾推向世界高科技舞台。次微米计画後衍生成立世界先进公司，成为催化台湾记忆体产业的重要推手。

1999年，卢志远博士加入旺宏电子，专注非挥发性记忆体前瞻技术研发，带领旺宏研发团队持续在国际重要学术会议如IEDM、ISSCC、VLSI等发表多项次世代记忆体先驱技术，研发实力屡获全球高度肯定。

今年旺宏电子在2017国际电子元件大会IEDM再有四篇论文入选，其中一篇有关揭露崭新3D NAND记忆晶胞架构的论文，也再次获选为 “亮点论文”（Highlight Paper），为台湾产学研界唯一获选的单位。

而他所创办的欣铨科技，证实晶圆级测试为可行的商业模式，更成为尖端半导体生产过程中不可或缺的一环，也获得美国哈佛大学商学院(HBS)纳为推广教案。

卢志远总经理浸淫半导体界逾30年，积极钻研电子元件及材料科技，发表超过 400多篇学术及技术论文，更拥有150馀项国际专利。由於对半导体界的贡献良多，卢博士获得许多国内外奖项及荣耀肯定，包括美国电机电子学会IEEE千禧杰出奖章、潘文渊文教基金会研究杰出奖、有科技研发工程师界奥斯卡奖之称的IEEE Frederik Philips Award、国家最高荣誉科学研究奖项总统科学奖及世界科学院(TWAS)工程科学奖等，更获得美国物理学会APS Fellow、IEEE Fellow、中华民国科技管理学会院士、工研院院士、台大杰出校友、交大名誉博士等荣衔。