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美光就福建省专利诉讼案件之声明
 

【CTIMES / SMARTAUTO ABC_1 报导】    2018年07月06日 星期五

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美光科技公司宣布,中国福建省福州市中级人民法院於今日通知美光在中国之两家子公司,已就联华电子股份有限公司 (简称“联电”)与福建省晋华集成电路有限公司(简称“晋华”)所提之专利侵权案件,裁定批准初步禁制令。联电与晋华起诉美光专利侵权案件,实为报复台湾检察机关针对联电及其三名员工侵犯美光商业机密所提刑事指控,以及美光就此针对联电与晋华向美国北加州地方法院提起的民事诉讼。

此初步禁制令限制美光中国两子公司,在中国制造、销售或进囗Crucial及Ballistix品牌部分型号之DRAM模组与固态硬碟。在此禁制令下,所受影响之产品约占美光年营收1%之多,由於目前已进入第四财季,美光预估禁制令对本季营收影响大约为1%,本季营收预测将维持於80亿至84亿美元范围内。美光将依法遵守该禁制令,同时申请法院重新考虑或中止执行该初步禁制令。

美光法务长暨法律总顾问、资深??总裁(senior vice president, legal affairs, general counsel and corporate secretary)Joel Poppen先生表示,「美光对於福州市中级人民法院之裁决深表遗憾。美光坚信涉案专利无效,且美光产品并未侵权。福州法院并未给予美光陈述及辩护之机会,即批准此初步禁制令。此举以及福州法院的其他做法,不符以适宜司法程序进行公平审讯之准则。美光在中国成功经营业务多年,在西安设有重要封测制造基地,亦与中国诸多重要客户拥有深厚关系,美光将持续积极对抗这种不实的侵权指控,并与客户及夥伴继续密切合作」。

联电与晋华於今年元月在中国福建省控告美光在中国之子公司,宣称Crucial及Ballistix品牌部分型号之DRAM模组及固态硬碟侵害联电与晋华在中国的专利权。本案所宣称之专利原先均由联电获得授权。联电为逻辑IC产品半导体代工厂,一直以来欠缺先进DRAM与NAND快闪记忆体技术。尽管美光并未使用该等专利於旗下DRAM与NAND技术或产品中,联电与晋华却曲解专利内容,并以不实证据诬指美光侵权。美光已将充分的证据递交至中国国家知识产权局专利复审委员会,证明涉案专利技术先前已由其他公司研发或在他国申请专利,故联电与晋华指称之涉案专利无效。

中国中央政府曾多次重申,外国企业的权益在中国会获得公平与同等的保障。美光认为福建省福州市法院之裁决不符合中国政府所主张的政策。

美光致力於在全球积极保护和执行其商业机密和智慧产权,美光在美国加利福尼亚州对联电和晋华提起的民事诉讼正是出於这一初衷。目前该诉讼仍在进行当中。

關鍵字: Micron 
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