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ROHM推出100V耐压SBD「YQ系列」 采用沟槽MOS结构
 

【CTIMES / SMARTAUTO ABC_1 报导】    2024年01月31日 星期三

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半导体制造商ROHM针对车载设备、工业设备、消费性电子设备等电源电路和保护电路,推出业界最高等级trr的100V耐压萧特基二极体(SBD)「YQ系列」。

ROHM新款100V耐压SBD「YQ系列」 采用沟槽MOS结构,兼顾VF和IR得以显着改善效能,适用於汽车LED头灯等高速开关应用。
ROHM新款100V耐压SBD「YQ系列」 采用沟槽MOS结构,兼顾VF和IR得以显着改善效能,适用於汽车LED头灯等高速开关应用。

二极体的种类有很多,其中高效率SBD被广泛用於各种应用。尤其是沟槽MOS结构的SBD,其VF低於平面结构的SBD,因此可以在整流等应用中提高效率。而普通沟槽MOS结构的产品,其trr比平面结构的差,因此在用於开关应用时出现了功率损耗增加的课题。针对此种课题,ROHM推出采用独家沟槽MOS结构、同时改善了难以兼顾的VF和IR、实现了业界最高等级trr的YQ系列产品。

继支援各种电路应用的4个SBD系列产品後推出的新「YQ系列」,也是ROHM首款采用沟槽MOS结构的二极体。该系列利用ROHM独家结构设计,实现业界最高等级trr(15ns),与同样采用沟槽MOS结构的市场竞品相比,trr单项的损耗降低约37%,总开关损耗降低约26%,有助於降低应用产品功耗。

另外透过采用沟槽MOS结构,与以往采用平面结构的SBD相比,顺向施加时的损耗VF和逆向施加时的损耗IR均得到改善。这不仅可以降低在整流应用等顺向使用时的功率损耗,还可以降低SBD最令人担心的热失控风险。这些优势使该系列产品适用於容易发热的车载LED头灯的驱动电路、xEV用DC-DC转换器等需要进行高速开关的应用。

新品从2023年12月起已全部投入量产,样品也开始透过电商平台销售。

關鍵字: SBD  ROHM 
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