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红外线薄膜芯片创新纪录 效率大幅跃进至72%
 

【CTIMES / SMARTAUTO ABC_1 报导】    2012年12月11日 星期二

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欧司朗光电半导的红外线芯片原型产品创新纪录,效率最高可达72%。在实验室条件下,1 A 操作电流下的输出约为930 mW,这芯片的光输出比市面上目前可得的芯片高约25%,这表示,未来的红外线LED省电效率将会更高。这项输出效率是在室温及最高1 A 的直流电操作电流下测得的。这芯片的波长为850 nm,专门为红外线照明应用而设计。

新的1 mm2芯片的效率最高可达72%,而且其量子效率在最高1 A 时可以维持在65%左右。 BigPic:644x500
新的1 mm2芯片的效率最高可达72%,而且其量子效率在最高1 A 时可以维持在65%左右。 BigPic:644x500

这项由里根斯堡研发实验室得出的成果,创造了新的里程碑。以红外线薄膜芯片技术制成的1 mm2 芯片,在100 mA 的操作电流下的效率可达72%。这种效率称为功率转换效率(wall plug efficiency,简称WPE),指的是辐射功率转换成电输出功率的效率。

外部量子效率(external quantum efficiency,简称EQE),也就是从每个电子中创造出光子以及从LED芯片发射出来的机率,最高可高达67%,在最高1A 操作电流下也高于64%。

这个芯片原型产品的波长为850 nm,最适合红外线照明,尤其是用于监视以及闭路电视摄影机之用。这也可以用在某些极具潜力的汽车安全装置上,例如防碰撞传感器以及夜视系统的照明光源。这项开发案的成果,现在已经按阶段逐一实现之中。预计新的芯片会在明年初与明年中之间量产。

關鍵字: 红外线薄膜芯片  欧司朗 
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