皇家飞利浦电子公司日前发布QUBiC4X，此为最新一款采用高性能BiCMOS处理技术（双极互补金属氧化物半导体，Bipolar CMOS）并已获得极大成功的QUBiC4系列产品之一。运用硅锗碳（SiGe:C）技术的新制程让双极晶体管的fT指针超过了130GHz，非常适合10GHz到30GHz范围之间的微波应用，例如卫星电视接收器和汽车碰撞探测雷达。超低的噪音指针使这一新制程非常适合用于灵敏的RF接收器，像是应用在高性能手机中提升联网消费者的通话体验。

在增益率和噪音指针方面，QUBiC4X的双极晶体管性能上除了可媲美砷化镓，使用此制程更可实现CMOS逻辑单元、CMOS RF电路系统以及高性能高质量的因子被动组件之间的整合。除了为拥有价格和量产优势的基硅技术带来了消费性产品的新微波应用，QUBiC4X更使目前包含独立硅元器件以及砷化镓器件的混合解决方案能够被更高度整合的解决方案所替代。

飞利浦半导体RF创新中心技术经理Patrice Gamand表示︰「QUBiC4X的发布可让设计师受益于高性能、高成本效率以及可靠的制程技术，并且满足无论是消费性产品应用抑或专业产品应用在性能、量产以及整合密度上不断提出的新需求。」

QUBiC4X的应用范围从手机收发器到30GHz汽车碰撞探测雷达以及短射程微波连接。在手机收发器中，低噪音指针和低集电极电流的组合可提供更可靠的接收以及更长的电池寿命。此外，卫星电视低噪音接收器中的低噪音扩大器以及RF功率扩大器也是非常典型的应用。