国立中山大学微奈米分析技术研发中心教授周明奇研究团队，开发更佳质量的LED基板材料，总成本最多可降低40％，将带动雷射二极管、发光二极管商机。

周明奇表示，「氮化镓（GaN）」与「氧化锌（ZnO）」半导体材料，在光电领域扮演非常重要的角色，尤其在LED发光二极管的应用上面；传统是利用气相沉积的方式将其生长于蓝宝石基板，以磊晶技术成长在蓝宝石基板上的氮化镓材料，是属于六方晶型之晶体结构，蓝宝石基板亦为六方晶体，但两者之晶格常数大小不同。磊晶成长于蓝宝石基板上之氮化镓，其晶格常数比蓝宝石约小 16％。不仅造成材料的缺陷密度过高，且降低LED发光效率。

微奈米分析技术研究中心开发出新LED基板材料，蓝宝石Al2O3、铝酸锂LiAlO2 2吋晶圆，与用来生长LED和雷射二极管用之奈米组件GaN 和ZnO，使中山大学奈米半导体研究日益蓬勃，并吸引其他研究型大学、欧洲最佳光电半导体研发机构、Paul Drude Institute、加州大学Santa Barbara分校等主动要求与中山大学奈米科技研发中心合作。

中山大学微奈米分析技术研发中心应用「铝酸锂」与GaN和ZnO晶格失配率1.4%的特性，希望能成为蓝宝石之外的另一个选择。该中心目前已能制造出质量极佳的直径2英吋LED基板，且已开发出适当的抛光方法，表面能达到原子级的平坦度。

周明奇指出，铝酸锂的原料价格、熔点均较蓝宝石低，硬度也比蓝宝石软，后续的切割、研磨与抛光等加工服务较易，总成本降低30％～40％，实际运用在LED上总成本也较低，材料质量的进展将带动商机。