國立中山大學微奈米分析技術研發中心教授周明奇研究團隊，開發更佳品質的LED基板材料，總成本最多可降低40％，將帶動雷射二極體、發光二極體商機。

周明奇表示，「氮化鎵（GaN）」與「氧化鋅（ZnO）」半導體材料，在光電領域扮演非常重要的角色，尤其在LED發光二極體的應用上面；傳統是利用氣相沉積的方式將其生長於藍寶石基板，以磊晶技術成長在藍寶石基板上的氮化鎵材料，是屬於六方晶型之晶體結構，藍寶石基板亦為六方晶體，但兩者之晶格常數大小不同。磊晶成長於藍寶石基板上之氮化鎵，其晶格常數比藍寶石約小 16％。不僅造成材料的缺陷密度過高，且降低LED發光效率。

微奈米分析技術研究中心開發出新LED基板材料，藍寶石Al2O3、鋁酸鋰LiAlO2 2吋晶圓，與用來生長LED和雷射二極體用之奈米元件GaN 和ZnO，使中山大學奈米半導體研究日益蓬勃，並吸引其他研究型大學、歐洲最佳光電半導體研發機構、Paul Drude Institute、加州大學Santa Barbara分校等主動要求與中山大學奈米科技研發中心合作。

中山大學微奈米分析技術研發中心應用「鋁酸鋰」與GaN和ZnO晶格失配率1.4%的特性，希望能成為藍寶石之外的另一個選擇。該中心目前已能製造出品質極佳的直徑2英吋LED基板，且已開發出適當的拋光方法，表面能達到原子級的平坦度。

周明奇指出，鋁酸鋰的原料價格、熔點均較藍寶石低，硬度也比藍寶石軟，後續的切割、研磨與拋光等加工服務較易，總成本降低30％～40％，實際運用在LED上總成本也較低，材料品質的進展將帶動商機。