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摩托罗拉半导体加速奈米晶体闪存研发时程
 

【CTIMES / SMARTAUTO ABC_1 报导】    2003年12月10日 星期三

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已独立的摩托罗拉(Motorola)半导体部门(Semiconductor Products Sector;SPS)日前宣布,该公司已加速对于奈米晶体闪存(Nanocrystal Flash)研发时程;市场分析师指出,该款闪存将可至少向下延伸到45奈米制程节点,摩托罗拉预定2005年时可推出样本,并可在2005年将目前之90奈米制程进阶至65奈米。

据网站Silicon Strategies引述摩托罗拉半导体先进材料与内存事业部主管Bruce White说法指出,摩托罗拉目前正加速推进奈米晶体内存芯片,将可嵌入该公司生产的微控制器(MCU)当中;该公司计划在2005年时推出嵌入式奈米晶体闪存样本;而尽管目前仍以90奈米制程进行研发工作,White特别指出,该公司预定在2005年下半、至迟将在2006年,导入65奈米制程试产阶段。

据市调研究机构Web-Feet Research分析师Radu Andrei指出,摩托罗拉并非全球唯一正在开发奈米晶体闪存芯片的半导体大厂,但就其宣布看来,摩托罗拉积极朝向先进制程、新兴材料芯片等方向进攻的企图心不可小觑。

關鍵字: Motorola  其他記憶元件 
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