走过1/4世纪的VLSI WEEK于4月21日在新竹国宾饭店开幕，由工业技术研究院及国际电机电子工程师学会共同主办，一连举行5天。VLSI是国际上引领全球、最先进的半导体及系统芯片国际学术会议之一，大会针对产业发展趋势，今年特别安排「高压电子组件」及「后CMOS时代」为议题主轴，邀请半导体大厂恩致浦（NXP）、飞思卡尔（Freescale）、意法半导体（ST）、东芝、Fairchild、IBM及台积电分享技术，期能与各国最新进展交流信息外，也能为起步中的台湾车用电子产业找到新机会点切入主流市场。

负责筹备VLSI研讨会的工研院电光所所长詹益仁表示，VLSI会议中所探讨的主题技术通常是未来5～10年半导体及IC设计业注目的焦点，近年来以非挥发性内存的相变化内存(Phase Change Memory；PCM)深受瞩目，PCM因具高容量、低耗电、高访问速度特性，被业界认为未来可取代NOR 、NAND。继2007年Intel、飞思卡尔(Freescale)、意法半导体(ST)及三星等国际大厂在VLSI研讨会分享PCM研发最新进展后，今年更邀请IBM Chung Lam博士从组件设计考虑角度，谈PCM成为主流内存所需具备的条件及最新研发成果。除此之外，工研院更在2006年与DRAM厂成立的PCM研发联盟，已成功研发出4Mb的PCM产品，不论是在写入电流上、耗电上、产品体积上与写入速度上，与国际半导体大厂相较可说不遑多让。工研院深切期盼透过与业界共同合作研发及导入VLSI研讨会前瞻性议题，快速引领台湾半导体及IC设计产业与最新国际半导体技术接轨。

VLSI研讨会首日由台积电董事长张忠谋的「21世纪晶圆厂的重大挑战」开幕演讲揭开序幕。他提到，代工厂如能与客户从产品开发早期阶段就展开设计和制程技术的合作，建立更深且广的关系，将能持续在消费性电子时代中获利。随后欧洲汽车半导体零件供货商英飞凌(Infineon)资深副总Reinhard Ploss发表「谈车用电子的挑战与解决之道(Sloving Automotive challenges with Electronics)」专题演讲，他认为生产力、质量与创新是汽车业未来发展指针，汽车业应运用半导体制程优势来提升汽车电子生产力及质量，并加强创新能力，进而创造新价值链。韩国三星院士Kinnam Kim主讲新世代内存的挑战与机会(Future memory technology challenges and opportunities)中，谈到内存技术微缩至40～30奈米时，面临的关键技术及解决之道，也从市场与应用角度分析技术微缩所带来经济效益。美国柏克莱大学教授Clark Nguyen在微机电制程之射频系统前端用品(Intergrated Micromechanical Radio Front-Ends)专题演讲中提到，无线通信前端整合使用的MEMS技术及特性。

正式迈入第二年的ERSO Award也在VLSI开幕典礼上颁给日月光半导体董事长张虔生、宏达电董事卓火土及奇景光电董事长吴炳升三位产业界人士，肯定他们为国内半导体封测试产业、行动通讯系统设计及平面显示器产业开创新局的杰出表现。ERSO Award在2006年成立，为表扬推动半导体及IC产业发展有杰出贡献人员而设，2006年由台积电曾繁城副董事长、汉民科技董事长黄民奇和思源科技董事长吕茂田三人获得首届荣誉。