科胜讯系统(Conexant Systems Inc.)日前表示取得硅锗(SiGe)集成电路制程技术的重要突破，新推出的SiGe200制程技术拥有目前业界硅制晶体管的效能，同时具有切换速度在电流(转换频率Ft为200GHz)与功率消耗(最高频率Fmax为180GHz)上的最佳组合。

硅芯片技术的成本优势带向各种范围广泛的高度整合光纤网络应用组件，提供每秒达80Gbps的超快速数据率组件以及多信道10Gbps电路的超低耗电功能，无线通信组件将同时能够由这个新制程所提供的低噪声、低耗电与更佳的线性度取得发展的优势。

科胜讯系统主席兼执行长Dwight W. Decker表示:「提升光纤通讯数据率的需求带来了更高效能制程技术的发展，我们的超快速SiGe200制程技术为高效能、低成本的无线通信与基础架构组件，提供了清楚的未来升级途径，进一步推动通讯技术的发展。」

科胜讯表示，该公司的SiGe200突破性制程技术是经验证的0.18微米SiGe双极互补金氧晶体管(BiCMOS)制程技术SiGe120为基碟所演化而来，这个制程整合了特别的双极晶体管设计，可透过缩小体积来提供效能的优势，就如标准CMOS技术中晶体管的缩放技术一般，直到最近，双极性晶体管由于某些限制，一直无法使用侵入式侧面缩放技术，直到这项新方法的推出才取得突破。

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