华虹半导体宣布其第二代90奈米嵌入式快闪记忆体90nm G2 eFlash工艺平台已成功实现量产，技术实力和竞争力再度加强。

华虹半导体第二代90nm G1 eFlash 工艺平台成功量产

华虹半导体在第一代90奈米嵌入式快闪记忆体(90nm G1 eFlash)工艺技术积累的基础上，於90nm G2 eFlash工艺平台实现了多方面的技术提升。90nm G2微缩了Flash的元胞尺寸，较第一代减小约25%，为目前全球晶圆代工厂90奈米工艺节点嵌入式快闪记忆体技术的最小尺寸。此外，90nm G2采用了新的Flash IP设计架构，在保证高可靠性 (即10万次读写及25年资料保持能力) 的同时，提供了极小面积的低功耗Flash IP。因此，90nm G2 eFlash能够大大缩小整体晶片面积，从而在单片晶圆上拥有更多的裸晶片数量，尤其对於具有高容量eFlash的晶片产品，90nm G2 eFlash的面积优势更为显着。值得一提的是，90nm G2 eFlash在第一代的基础上又缩减了一层光罩，使得制造成本更低。

目前，90nm G2 eFlash已实现了高良率的稳定量产，成功用於大规模生产电信卡晶片，并将为智慧卡晶片、安全晶片产品以及MCU等多元化产品提供更具性价比的晶片制造技术解决方案。

华虹半导体执行??总裁孔蔚然博士表示：「第二代的90nm G2 eFlash工艺的成功量产，标志着华虹半导体在特色化嵌入式快闪记忆体技术上的又一次成功。嵌入式非易失性记忆体技术是我们的战略重点之一，长期以来凭藉着高安全性、高稳定性、高性价比以及技术先进性在业界广受认可。作为全球领先的智慧卡IC代工厂，华虹半导体将坚持深耕，不断优化工艺，升级平台，持续领航智慧IC卡代工领域，并大力发力物联网、新能源汽车等高增长新兴市场。」