根据市调机构iSuppli针对内存市场所发布的最新报告，全球DRAM在2005年可望微幅成长，主因是包括256Mb转512Mb、DDR转DDR2、0.11微米转90奈米等世代交替，将使DRAM供给端成长率受制，不至于出现供过于求现象；不过待2006年世代交替告一段落之后，各家DRAM供货商的12吋厂晶圆厂全面量产，将可能出现大幅衰退，并拖累当年全球半导体市场成长。

iSuppli指出，今年第三季全球DRAM市场销售额仅小幅成长0.7％，远低于原先所预期的7％，主因就是第三季旺季需求强度疲弱，DRAM厂端出货量成长11％，导致平均价格却下跌10％。而此一情况预期在第四季仍会发生，但今年全年DRAM市场仍会较去年大幅成长54.2％，规模约266亿6800万美元。

至于明年展望部份，iSuppli表示，虽然包括三星、尔必达、美光、英飞凌、及台湾的南亚科、力晶、茂德等业者的12吋厂将陆续开始提高投片量，但是因DRAM世代交替问题将影响供给成长，所以2005年全球DRAM市成长率仍有1.3％，达270亿美元规模。

此外iSuppli也提出警告，2006年之后一旦DRAM世代交替完成，每家DRAM厂都会以一至二座的12吋厂投入量产，并采用更先进的奈米级制程，产能成长幅度将大幅提高，届时DRAM市场恐面临严重的供给过剩，并出现15.7％的销售衰退，且最快要到2008年才会有所反弹。