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Ramtron获《今日电子》年度产品奖
 

【CTIMES/SmartAuto 楊純盈 报导】   2008年04月25日 星期五

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全球非挥发性铁电随机存取内存(F-RAM)和整合半导体产品的开发商及供货商Ramtron International Corporation宣布,该公司的FM22L16获得了《今日电子》杂志所颁发的年度产品奖之殊荣。FM22L16是半导体业界的第一款4兆位(Mb)非挥发性F-RAM内存,它之所以能够从数百项产品中脱颖而出,主要是在于它成功地达到评审对设计创新性、价格性能与技术进展的要求。

Ramtron亚太区销售总经理徐梦岚表示:「对于获得《今日电子》这项年度产品奖的殊荣,我们深感自豪。FM22L16将F-RAM技术带领到由我们与德州仪器共同开发的先进130奈米制程的。F-RAM是理想的非挥发性内存解决方案,拥有改变内存现状的深厚潜力,尤其是在德州仪器针对 F-RAM而优化的CMOS制程中,此一制程提供了许多全新独立的和整合的产品机会。对于这款重要产品能够获得《今日电子》的编辑和评审小组的青睐,我们深受鼓舞。」

FM22L16是目前最高容量的F-RAM产品,这款3V、4Mb并行的非挥发性RAM采用44脚的薄型小尺寸塑封(TSOP)。FM22L16具有高访问速度、几乎没有次数限的读/写周期和低功耗等特点。FM22L16与异步静态 RAM(SRAM)在接脚上兼容,并适用于工业控制系统如机器人、网络和数据储存应用、多功能打印机、自动导航系统,以及许多以SRAM为基础的系统设计。

FM22L16是256K x 16的非挥发性内存,采用工业标准并行接口实现存取,存取的时间为55ns,周期为110ns。该器件以「无延迟」(NoDelay)写入的总线速度进行读写操作,耐久性至少为100万亿(100-trillion)次的写入作业和10年的数据保存能力。

这款4Mb F-RAM是标准异步SRAM的完全替代器件,但却有更优越的性能,因为它不需要电池就可以进行数据备份,从而显著提升组件和系统的可靠性。FM22L16是真正的表面黏着解决方案,与电池供电的SRAM不同,它不需要连接电池的返修(rework)步骤,而且具有耐潮湿、抗冲击和振动的特性。

FM22L16具备有与现今高性能微处理器相连的工业标准接口,兼具高速页面模式,能够实现高达每秒80MB的峰值流通量,是市场上速度最快的非挥发性内存之一。该器件的工作电流比标准的SRAM还要低,读/写操作时为18mA,在超低电流睡眠模式下仅为5uA。FM22L16的工作电压范围为2.7V至3.6V,可在整个工业温度范围内(-40℃至+85℃)作业。

關鍵字: FM22L16  Ramtron 
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