市场消息指出，1G NAND型Flash（闪存）现货价持续下跌，原因应与主要内存厂商提升产能有关；此外因韩国Hynix亚洲倒货效应持续发酵，据了解，256M DDR现货价持续下跌，DDR 333最低价已开出4美元价格。

分析师指出，第二季NAND型Flash价格大跌，虽然刺激市场买气，但7月以来包括三星、东芝、Hynix、英飞凌、美光等供货商不断提升产能，造成市场供过于求，再加上力晶、茂德也计划切入，也造成价格压力。因此市场近来传出，NAND型Flash价格下跌太快，会造成供货商回头生产DRAM，不过各家业者都予以否认。

三星、东芝表示，为维持在NAND闪存市场占有率，将会持续维持产出量，不会再转拨产能回头生产DRAM或其它产品。新进者美光、英飞凌、Hynix也强调，既然公司策略上已经决定投入此一市场，就不会因为价格下跌而退缩，英飞凌至年底月产能达5000片计划不变，美光则将提高产能至年底占总产能约一成比重，Hynix则会转拨一座8吋厂产能生产。

但NAND型Flash价格下降速度过快，DRAM产商将延缓将DRAM产能转换到闪存市场，这也将对下半年的DRAM价格带来新的变量。