据日本工业新闻报导，由日本富士通与超威（AMD）合资成立的NOR型闪存（Flash）业者FASL日前表示，该公司有意跨足NAND型闪存市场，并预定在2004年中推出相关产品，与三星、东芝等主力厂商分庭抗礼。

该报导指出，照相手机及数字相机市场快速兴起，NAND型闪存商机大增，促使许多半导体厂抢进市场，除DRAM厂商美光、英飞凌，NOR型闪存厂商意法亦将与DRAM厂商海力士连手进军NAND型闪存。而FASL亦不愿错失机会，于日前即传出已着手研发NAND型产品。

FASL是在2003年7月正式成立，主要业务为研发、生产、销售NOR型闪存。为因应市场对大容量闪存的需求，FASL日前推出512Mb NOR型闪存，而随着NAND型产品已进入量产1G产品阶段，FASL亦计划推出大容量NAND型产品。