晶片製造商為智慧型手機、繪圖卡、和固態硬碟等應用所建構的3D 記憶體元件，促使業界持續透過垂直增加元件尺寸和橫向減小關鍵尺寸（CD）來降低每世代製程節點間的單位位元成本。這已把3D NAND 和 DRAM 的蝕刻深寬比推升到新的境界。

Lam Research 在其 Sense.i蝕刻平台上推出了新的 Vantex 腔體。

科林研發（Lam Research）推出最新的介電層蝕刻技術 Vantex，這是為現今市場上智慧蝕刻平台 Sense.i 所設計。以科林研發擁有的蝕刻經驗為基礎，此開創性設計可為目前和未來世代的 NAND 和 DRAM 記憶體元件提供更高效能與更佳擴展性。

為了能以高生產量蝕刻高深寬比特徵並達到成本縮減目標，Vantex 的新腔體設計採用比之前更高的射頻（RF）功率等級。功率的增加與 RF 脈衝技術的進步相結合，可提供增進元件效能所需的嚴格CD控制。

3D NAND 元件的技術藍圖要求蝕刻深度能隨著每個新世代的進展越來越深，因此需要提升蝕刻輪廓的均勻度。Vantex 技術可控制蝕刻的垂直角度，以滿足3D 元件特徵的更嚴格放置要求，並在整個12吋晶圓上實現高良率。

科林研發的 Sense.i 蝕刻平台具有 Equipment IntelligenceR 功能，可從數百個監視系統和製程效能感測器收集數據。利用 Sense.i 系統中的高頻寬通訊技術，Vantex 腔體針對每片晶圓收集到的數據比市場上任何其他機台都多，因此能更有效地分析和利用數據，並同時提升晶圓上（on-wafer）和晶圓至晶圓（wafer-to-wafer）效能。