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威盛宣佈取得茂矽1T-SRAM專利授權
 

【CTIMES/SmartAuto 黃明珠 報導】   2001年01月10日 星期三

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威盛電子10日宣佈正式取得茂矽電子1T-SRAM的專利授權,為新世代的系統單晶片產品,導入超高集積度、高效能及低耗電的先進SRAM技術,並可望廣泛應用於日漸蓬勃的網際網路裝置、資訊家電產品線。

相較於傳統的SRAM設計,創新的1T-SRAM技術耗用較少的電晶體、便可完成資料儲存的動作;同時使用與一般邏輯晶片相同的晶圓生產製程,亦大幅降低高整合度晶片產品的設計與製造難度。另外1T-SRAM更兼具低耗電的特色,且並不需在效能上有所妥協。

威盛電子總經理陳文琦表示,記憶體的整合將是公司進一步發展單晶片產品時,相當重要的關鍵與挑戰,而茂矽的1T-SRAM技術,正可同時滿足市場對於成本及效能的雙重需求。藉由1T-SRAM的專利授權,未來威盛將在標準的邏輯晶片中,整合高容量的高效能記憶體,有效提昇產品的功能與競爭力。

茂矽智財權事業部副總裁暨總經理Mark-Eric Jones則指出,威盛近年來的多項創新產品,已經為快速變動的半導體市場做出了卓著的貢獻,而在1T-SRAM技術的協助之下,威盛未來將可望於各個新興的資訊應用市場,繼續擴展其影響力。

關鍵字: 威盛電子(VIA::電子茂矽電子  陳文琦  靜態隨機存取記憶體 
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