国际整流器公司（IR）推出全球第一套1000V辐射强化（RAD-hard）电源MOSFET。此款代号为IRHY7G30CMSE 的辐射强化电源MOSFET降低了组件的数目，并强化卫星通讯系统中的电源管理电路与高频交换系统。此款组件的应用领域包括应用在卫星通讯系统中负责放大微波信号的行波管放大器（traveling wave tube amplifiers）

1000（RAD-hard）电源MOSFET

IR台湾区总经理朱文义表示：「IR新推出的1000V组件是一项重大的突破，在此款组件问世之前，RAD-hard MOSFET最高伏特数仅为600V。而现在设计人员可以运用安全的衰减（de-rating）环境，且不会减少设计的功能与实用性。在各种高伏特应用中，1000V组件可取代效率较低的双极晶体管。」

新型IRHY7G30CMSE 1000V RAD-Hard MOSFET 是一款改良模式的N-channel组件，采用IR专利的辐射强化网关氧化与场氧化制程（radiation-hardened gate-oxidation and field-oxidation process），以达到单一事件重设（single event upset）与离子数量强化（ionising dose hardness）的严格要求。

新组件会透过37 MeV/(mg/cm2)的线性能量转换器（LET）强化单一事件效应（SEE, single event effect），并可维持几近一致的100 Krads (Si)总掺杂浓度。1000V MOSFET的强波性能远超过双极晶体管，双极晶体管强度较低。