功率半导体及管理方案厂商国际整流器公司(IR) 于近日推出两款全新100V耐压IRF7495和80V耐压IRF7493 N信道HEXFET功率MOSFET，该公司表示其产品经过特别设计，适用于电信系统中采用隔离式全桥或半桥架构的直流-直流转换器。

IR指出新产品沟槽式设计大幅增强了MOSFET的导通电阻和栅电荷性能，随着效率得到提升，接面温度低于同类组件10°C以上。当组件应用于48V总线转换器方案的初级部份，这种性能特别得到充分体现。接面温度的下降可提高可靠性，对现在的网络和通讯设备十分重要。IRF7495特别为通用电信输入电压范围 (36V至75V) 系统的半桥和全桥布置而设计。

IR表示IRF7493是IR最新直流总线转换器芯片组的一部分。该芯片组特别为用于48V输入系统的隔离式双段分布式功率架构而设，当中的次段负载点转换器能够从非调节式输入电压产生出调节的负载电压。双段分布式功率架构电路无需精准调节的中间总线电压，因为负载点一般可接受相对较为宽广的输入电压值，而负载点又能为相关负载提供所需稳压能力。

IR台湾分公司总经理朱文义表示：「全新SO-8封装MOSFET的栅电荷十分低，能体现较低的开关损耗；整体导通电阻亦降至最低，有助减少传导损耗。只要选用最新的80V和100V IR组件，便能改善高效能网络通讯系统中分布式功率架构，包括隔离式转换器、动态ORing和热交换电路。」